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标题: NOR flash 和NAND Flash怎么写数据比较方便 [打印本页]

作者: 19979240919 时间: 2020-12-31 11:26
标题: NOR flash 和NAND Flash怎么写数据比较方便
NOR flash 和NAND Flash在写数据之前必须先进行扇区擦除或块擦除，但是一旦擦除，原先的数据就没有了，而且原先的数据也是占据空间不算小了，那么问题来了，如果只是需要单个改动某几个字节，怎么操作最方便快捷

作者: PCA 时间: 2020-12-31 11:26
数据量大了数组未必容得下
扇区A数据需要修改了，数据读出来写入另外一个空闲扇区B，然后擦除扇区A，从扇区B读出数据把改变和不改变的数据重新写入扇区A
没玩过Nandflash，想的一个思路，高手勿喷

作者: 19979240919 时间: 2021-1-12 09:51
怎么没有一个人回答的

作者: thangs 时间: 2021-1-13 17:44
先将原来的数据读到数组中，然后直接在数组中改，最后将数组中的数据写回去

作者: 正点原子 时间: 2021-1-14 01:32
NOR FLASH简单一些，nand得做坏块管理，最好用成熟的坏块管理文件系统来存储

作者: 19979240919 时间: 2021-1-14 09:29

PCA 发表于 2020-12-31 11:26
数据量大了数组未必容得下
扇区A数据需要修改了，数据读出来写入另外一个空闲扇区B，然后擦除扇区A，从扇 ...

flash的存储和擦写格式导致的，只能按照这种方法写，既然无法单独修改一个字节的数据，那么只能另辟蹊径，先将要读取出来的一大片数据，读取出来，如果SRAM够大，还是可以开辟数组存储的，如果不够，可以外接存储芯片，比如EEPROM，或者是其他的空闲扇区，然后再擦除要修改的扇区，再读取之前存储的数据，修改后重新写入原来的位置。单独只修改一个地方硬件实现不了，也没办法。

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