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[其他模块] NOR flash 和NAND Flash怎么写数据比较方便

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发表于 2020-12-31 11:26:29 | 显示全部楼层 |阅读模式
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NOR flash 和NAND Flash在写数据之前必须先进行扇区擦除或块擦除,但是一旦擦除,原先的数据就没有了,而且原先的数据也是占据空间不算小了,那么问题来了,如果只是需要单个改动某几个字节,怎么操作最方便快捷

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数据量大了数组未必容得下 扇区A数据需要修改了,数据读出来写入另外一个空闲扇区B,然后擦除扇区A,从扇区B读出数据把改变和不改变的数据重新写入扇区A 没玩过Nandflash,想的一个思路,高手勿喷
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发表于 2020-12-31 11:26:30 | 显示全部楼层
数据量大了数组未必容得下
扇区A数据需要修改了,数据读出来写入另外一个空闲扇区B,然后擦除扇区A,从扇区B读出数据把改变和不改变的数据重新写入扇区A
没玩过Nandflash,想的一个思路,高手勿喷
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 楼主| 发表于 2021-1-12 09:51:49 | 显示全部楼层
怎么没有一个人回答的
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发表于 2021-1-13 17:44:22 | 显示全部楼层
先将原来的数据读到数组中,然后直接在数组中改,最后将数组中的数据写回去
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发表于 2021-1-14 01:32:29 | 显示全部楼层
NOR FLASH简单一些,nand得做坏块管理,最好用成熟的坏块管理文件系统来存储
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 楼主| 发表于 2021-1-14 09:29:57 | 显示全部楼层
PCA 发表于 2020-12-31 11:26
数据量大了数组未必容得下
扇区A数据需要修改了,数据读出来写入另外一个空闲扇区B,然后擦除扇区A,从扇 ...

flash的存储和擦写格式导致的,只能按照这种方法写,既然无法单独修改一个字节的数据,那么只能另辟蹊径,先将要读取出来的一大片数据,读取出来,如果SRAM够大,还是可以开辟数组存储的,如果不够,可以外接存储芯片,比如EEPROM,或者是其他的空闲扇区,然后再擦除要修改的扇区,再读取之前存储的数据,修改后重新写入原来的位置。单独只修改一个地方硬件实现不了,也没办法。
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