求助，SDRAM刷新异常以及写入数据的时候会覆盖所有的地址，这是什么回事？？

木木的忧伤

各位大神，调试SDRAM的时候遇到麻烦了，先说明现象：1.图中设置了4个断点，运行到第一个断点处的语句用于向SDRAM的首地址写入一个数。

运行到第一个断点

图1


2.此时SDRAM中的内容如图2所示：

2.SDRAM中的数据

图2
3.当运行到下一个断点时，写入的数据会被写入所有的地址，如图3所示：

3.运行到第二个断点SDRAM中的数据

图3
4.再继续运行到delay函数时，写入另一个地址的数据也会被写入所有的地址，覆盖了上一次写入的数据，如图4

4.运行到delay时SDRAM中的数据

5.经过延时后会发现，之前写入的数据丢失了，如图5

5.运行到第4个断点SDRAM中的数据

请问：发生以上情况的原因是什么呢？

以下是SDRAM相关参数以及设置：
SDRAM 参数：行地址数：11 ，列地址数：8 ，数据位宽 32 bit。
                     TMRD: 2 CLK
                      TXSR: 77 ns
                      TRAS: 42 ns
                      TRC : 70 ns
                      TWR: 1 CLK+7ns
                      TRP： 20 ns
                      TRCD： 20 ns

以下是程序配置：

木木的忧伤

问题解决， FMC_SDNE0 和 FMC_SDCKE0 用STM32Cube配置FMC的时候默认接在了PC2和PC3，实际在设计的时候接在了PH3和PH2，修改过来，问题解决。

zuozhongkai

检查一下硬件什么的，看看有没有问题，还有就是SDRAM的初始化。

木木的忧伤

zuozhongkai 发表于 2017-4-15 18:16
检查一下硬件什么的，看看有没有问题，还有就是SDRAM的初始化。

检查过了，没有焊接问题，初始化参照原子的程序以及芯片datasheet