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TF卡不加上拉电阻可以吗?

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发表于 2017-3-13 17:22:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
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TF卡四个数据口不加上拉电阻可以吗?

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SD的协议明确表示DAT0-DAT3是需要加上拉电阻的,因为时序中判定高电平就是空闲,低电平代表busy(例如写SD卡时候,会判定DAT0的低电平表示卡busy状态)。不过这个事情取决于STM32的SD控制器外设的设计,是否可以支持内部上拉,可以去看下stm32的demo设计文档资料
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发表于 2017-3-13 17:22:27 | 显示全部楼层
SD的协议明确表示DAT0-DAT3是需要加上拉电阻的,因为时序中判定高电平就是空闲,低电平代表busy(例如写SD卡时候,会判定DAT0的低电平表示卡busy状态)。不过这个事情取决于STM32的SD控制器外设的设计,是否可以支持内部上拉,可以去看下stm32的demo设计文档资料
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发表于 2017-3-13 17:45:34 | 显示全部楼层
原子哥的都加了。
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发表于 2017-3-13 17:47:25 | 显示全部楼层
SD的协议明确表示DAT0-DAT3是需要加上拉电阻的,因为时序中判定高电平就是空闲,低电平代表busy(例如写SD卡时候,会判定DAT0的低电平表示卡busy状态)。不过这个事情取决于STM32的SD控制器外设的设计,是否可以支持内部上拉,可以去看下stm32的demo设计文档资料
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