TFT的RS端地址偏移量请教

PCA

战舰版里的TFT使用FSMC来显示数据，使用FSMC_A10控制RS端，
//使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11 A1作为数据命令区分线
//注意设置时STM32内部会右移一位对其! 111110=0X3E      
#define LCD_BASE        ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))
#define LCD             ((LCD_TypeDef *) LCD_BASE)
这个使用A10的地址偏移是0x000007FE，这个是怎么算的？
加入我使用A0呢，偏移又是多少

正点原子

回复【楼主位】PCA:
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请看《STM32开发指南》

PCA

看了没看懂

，下面两行的FSMC是不是指FSMC_A[]?

正点原子

是 的

PCA

回复【4楼】正点原子:
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问题已解决，多谢

Tardis

FSMC其实很简单，STM32的FSMC中的SRAM部分分了4个区，每个区64M的，区里面的地址就对应FSMC的A系列引脚，例如你如果要驱动TFT的话，那FSMC上的A0接在TFT的RS引脚上，由于TFT的协议和SRAM的相似，这里用FSMC的地址引脚驱动TFT，就相当于你把TFT当作是一个4个字节（两个u16，一个寄存器，一个数据，也就是4个字节）的SRAM，当你把FSMC设置为16位数据宽度的话，那么FSMC就按照16位数据模式传送，也就是每个地址放2个字节数据，也就是u16，例如SRAM有很多地址，当你在SRAM第0个地址上放数据，FSMC的A0就高电平，然后WR脉冲，当你往SRAM的第1个地址放数据，FSMC的A1就高电平，A0就低电平，利用这点，可以把TFT弄到FSMC上，RS刚好接FSMC的A0那里，这样就可以用FSMC控制TFT了，不知道我说的详细不？望楼主能看懂。

PCA

回复【6楼】Tardis:
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明白，多谢指点

wghfbj

回复【6楼】Tardis:
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能再解释下“当你把FSMC设置为16位数据宽度的话，那么FSMC就按照16位数据模式传送，也就是每个地址放2个字节数据，也就是u16”这句话吗？谢谢

Tardis

回复【8楼】wghfbj:
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就是，你往物理地址1里面写数据，实际上是写了2字节的数据，如果你弄数组的话，那么相对于数组地址0，就是u16的0-7位，相对于数组地址1，就是u16的8-15位的数据，这个是相对的，如果你定义u32数据类型，往u16写，在程序上把u32用u16指针来弄的话，那么硬件上会自动发送两个时钟

wghfbj

回复【9楼】Tardis:
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如果像您那样说，一个u16数据占两字节，相当于只占用了一个地址啊。是吗？

Tardis

回复【10楼】wghfbj:
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是一个物理地址，如果你FSMC设置为16位的话，那么FSMC_A0至FSMC_A24都为0的时候，可以发送两个字节的数据，FSMC_A0为1的时候，就是另外两个字节的数据了，所以可以把LCD的RS连接在FSMC_A0上，如果你选择bank1的话，可以通过往地址0x68000000上写一个16位数据作为LCD的指令，往地址0x68000001上写一个16位数据为LCD的后续指令。
FSMC驱动I80协议的并口是很好用的，就是速度稍慢。

chun307

回复【6楼】Tardis:

FSMC其实很简单，STM32的FSMC中的SRAM部分分了4个区，每个区64M的，区里面的地址就对应FSMC的A系列引脚，例如你如果要驱动TFT的话，那FSMC上的A0接在TFT的RS引脚上，由于TFT的协议和SRAM的相似，这里用FSMC的地址引脚驱动TFT，就相当于你把TFT当作是一个4个字节（两个u16，一个寄存器，一个数据，也就是4个字节）的SRAM，当你把FSMC设置为16位数据宽度的话，那么FSMC就按照16位数据模式传送，也就是每个地址放2个字节数据，也就是u16，例如SRAM有很多地址，当你在SRAM第0个地址上放数据，FSMC的A0就高电平，然后WR脉冲，当你往SRAM的第1个地址放数据，FSMC的A1就高电平，A0就低电平，利用这点，可以把TFT弄到FSMC上，RS刚好接FSMC的A0那里，这样就可以用FSMC控制TFT了，不知道我说的详细不？望楼
......
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那么请问能不能把RS接到普通的IO口上？只要控制IO口的0和1不就可以操作一个寄存器，一个数据了吗？

Tardis

回复【12楼】chun307:
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是可以的，但你怎么和FSMC的时序同步？时序不同步就不行了，不过如果你只是写数据，不写指令的话，数据还是可以同步的。

chun307

回复【13楼】Tardis:

回复【12楼】chun307:
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是可以的，但你怎么和FSMC的时序同步？时序不同步就不行了，不过如果你只是写数据，不写指令的话，数据还是可以同步的。

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谢谢您的回答 不过我还有疑惑：
1，为什么写数据可以 写指令不行呢？不是RS可以为1或0吗？
2，另外，如果选择为bank1.sector4，基地址为：0x6c00 0000。那么LCD对应的地址就是这个（0x6c00 0000）了吗？
3，如果是FSMC操作RAM，RAM有地址线，并且RAM地址线和FSMC一一对应，那么操作RAM的基地址是不是就是这个sector的基地址（比如bank1.sector4的    0x6c00 0000）？

Tardis

回复【14楼】chun307:
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1.写指令你知道什么时候FSMC发么？有时候FSMC静默的时候也会发无聊数据的，因为这个是硬件总线，你软件有时候控制不到，虽然你可以RS为1或者0，但你1或者0后你不知道FSMC什么时候会发，除非你1或者0后延时一段时间。
2.看你用那根地址线，如果是FSMC_A0的话，就是0x6c000000了，不是的话，就要算地址，STM32内部的FSMC地址是向右便宜一个位操作，你算的时候要反过来向左偏移一个位来算。
3.是的

chun307

回复【15楼】Tardis:
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非常感谢！！！

Tardis

回复【16楼】chun307:
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你头像中的女人很带感

chun307

回复【17楼】Tardis:
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怪不得这么客气。。。

Tardis

回复【18楼】chun307:
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求介绍

Tardis

回复【18楼】chun307:
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话说，回复你的留意，感觉是在回复你头像中女人的留意，话说，你是女人吗？

chun307

男淫，让您失望了

pulk

回复【2楼】正点原子:
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开发指南上没得哦， 没解释0X000007FE，则是 A10 的偏移量 这个是怎么来的哦。。。  知其然，不知其所以然， 怎么修改成自己想要的程序呢

正点原子

回复【22楼】pulk:
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还没解释啊？？？
右移一位对其，就是了
核心思想，就是让地址线控制RS，不论你怎么玩，无非就是第一个地址的时候，RS=0，第二个地址的时候，RS=1，以此来区分数据还是命令。
那么剩下的问题，就是如何让地址加1，是的你接RS的脚能输出电平产生变化。

pulk

回复【23楼】正点原子:
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谢谢你的解答

pulk

这个实验选择的是 Bank1的第四区，，你说的  “ 核心思想，就是让地址线控制RS，不论你怎么玩，无非就是第一个地址的时候，RS=0，第二个地址的时候，RS=1，以此来区分数据还是命令。”  这个第一个地址， 第二个地址  是0X6C00 0000~6FFF FFFF 在这些地址之间变吗？(因为要+2的偏移)

如果是这样的话， 那么0X6C00 0000~6FFF FFFF  这些地址范围怎么才能与FSMC_A10对应呢？  这个是固定的哦

pulk

回复【23楼】正点原子:
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使用NOR/SRAM的 Bank1.sector4,地址位HADDR[27,26]=11 A10作为数据命令区分线 
这里怎么理解地址位HADDR[27,26]=11    FSMC_A10作为数据命令区分线

正点原子

回复【26楼】pulk:
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HADDR，不解释，自己看书。貌似你都不看《STM32参考手册》的。里面讲的很清楚了。
至于A10，你看原理图没有？
我们的RS就接在A10上面，所以A10就用于控制命令数据区分。

pulk

回复【27楼】正点原子:
我自己看吧，，， 

北溟鱼

回复【5楼】PCA:
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你好，我想知道你A0的地址是如何设置的？

北溟鱼

回复【6楼】Tardis:
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对不起，我还是没看懂？我现在想用A16,偏移地址该如何设置？

北溟鱼

回复【27楼】正点原子:
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你好，我现在想用A16,偏移地址该如何设置？

正点原子

你理解A10了么?
A16和A10就是一个模子...
无非就是多了几个1罢了.
A10是7FE,掰手指都应该知道A16是多少了吧?
A16比A10多几个1?是不是6个?6个1是多少?
1FFFE咯.

Tardis

回复【30楼】北溟鱼:
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很简单，就是A0就是0，你得把0这个数左移一位当作FSMC地址，所以也就0了，A1是1，左移一位就是2，减去1作为地址，二进制是1，也就是0x00000001. 
A10二进制是10000000000，也就是0x400，减去1，也就是01111111111，也就是0x3FF，然后STM32是右移一位操作的，所以写程序的时候，你得把地址预先左移一位，0x3FF左移以为也就是二进制011111111110，也就是0x7FE，同理A16就是1FFFE了

北溟鱼

回复【33楼】Tardis:
谢谢，我也是这么想的。还有个问题想问你。例程中LCD屏的的CS接FSMC_NE4,RS接FSMC_A10,对应开发板上也就是PG12,和PG0。现在我想把程序改为CS接FSMC_NE1,RS接FSMC_A16,对应开发板上PD7,和PD11。程序部分我把
lcd.h中的#define LCD_BASE        ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))改为：
             #define LCD_BASE        ((u32)(0x60000000 | 0x0001FFFE))
把lcd.c中的FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM4;//  这里我们使用NE4 ，也就对应BTCR[6],[7]
改为：FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;
   把 FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM4, ENABLE);  // 使能BANK1 
改为 FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM1, ENABLE);  // 使能BANK1 

我想问一下，这样改有错吗？但为啥屏幕只是白屏，什么都不显示，还是还有其他地方需要改动？

北溟鱼

回复【32楼】正点原子:
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谢谢原子，还有个问题想问你。例程中LCD屏的的CS接FSMC_NE4,RS接FSMC_A10,对应开发板上也就是PG12,和PG0。现在我想把程序改为CS接FSMC_NE1,RS接FSMC_A16,对应开发板上PD7,和PD11。程序部分我把
lcd.h中的#define LCD_BASE        ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))改为：
             #define LCD_BASE        ((u32)(0x60000000 | 0x0001FFFE))
把lcd.c中的FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM4;//  这里我们使用NE4 ，也就对应BTCR[6],[7]
改为：FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1;
   把 FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM4, ENABLE);  // 使能BANK1 
改为 FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM1, ENABLE);  // 使能BANK1 

我想问一下，这样改有错吗？但为啥屏幕只是白屏，什么都不显示，还是还有其他地方需要改动？很着急

正点原子

回复【35楼】北溟鱼:
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地址没错,后续的库函数就不知道了,我用寄存器的.

北溟鱼

回复【36楼】正点原子:
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你寄存器是怎么改的？需要改哪些寄存器？我现在也怀疑是lcd.c文件中某些的寄存器需要改。

正点原子

//寄存器清零
//bank1有NE1~4,每一个有一个BCR+TCR，所以总共八个寄存器。
//这里我们使用NE1 ，也就对应BTCR[0],[1]。     
FSMC_Bank1->BTCR[0]=0X00000000;
FSMC_Bank1->BTCR[1]=0X00000000;
FSMC_Bank1E->BWTR[0]=0X00000000;
//操作BCR寄存器 使用异步模式
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<12; //存储器写使能
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<14; //读写使用不同的时序
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<4;  //存储器数据宽度为16bit      
//操作BTR寄存器
//读时序控制寄存器      
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0<<28; //模式A        
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=1<<0;  //地址建立时间（ADDSET）为2个HCLK 1/36M=27ns    
//因为液晶驱动IC的读数据的时候，速度不能太快，尤其对1289这个IC。
FSMC_Bank1->BTCR[1]|=0XF<<8;   //数据保存时间为16个HCLK    
//写时序控制寄存器  
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<28;  //模式A        
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=0<<0; //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 
  //4个HCLK（HCLK=72M）因为液晶驱动IC的写信号脉宽，最少也得50ns。72M/4=24M=55ns    
FSMC_Bank1E->BWTR[0]|=3<<8;  //数据保存时间为4个HCLK
//使能BANK1,区域4
FSMC_Bank1->BTCR[0]|=1<<0; //使能BANK1，区域1

Tardis

回复【34楼】北溟鱼:
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兄弟，你的代码没错，请检查你的GPIO初始化序列是否正确，另外，你的FSMC_NORSRAMInit（）这函数有调用不？没调用的话，你只是给结构体赋值是没用的。

北溟鱼

回复【39楼】Tardis:
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谢谢，已经做出来了哈~~~

charly

回复【33楼】Tardis:
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ox400减1   这句没理解，为什么减1啊

Tardis

回复【41楼】charly:
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减一的目的就是，你在减一的这个地址操作，A0会低电平，如果直接0x400，A0就是高电平了。

charly

回复【42楼】Tardis:
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我按实验做的用BANK1区域4做的，我如果想让A10输出高，不一定非要往0x6c000800写数据吧    我向0x6c001800写数据也行吧  只是A11也会变成输出高电平，是吗

Tardis

回复【43楼】charly:
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是的

Tardis

回复【43楼】charly:
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你不把A11对应的管脚配置为复用FSMC功能的话，A11就没有任何变化了

animal

回复【35楼】北溟鱼:
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这位大哥，我和你的板子是一样的，我已将lcd.h中的#define LCD_BASE        ((u32)(0x6C000000 | 0x000007FE))改为： 
             #define LCD_BASE        ((u32)(0x60000000 | 0x0001FFFE)) 
把lcd.c中的FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM4;//  这里我们使用NE4 ，也就对应BTCR[6],[7] 
改为：FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM1; 
   把 FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM4, ENABLE);  // 使能BANK1  
改为 FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM1, ENABLE);  // 使能BANK1
还是白屏，请问还要改哪些东西，已经被这玩意折磨两天了。

wghfbj

这帖子巨火啊，让我学到不少东西呢~~

雪雪

回复【33楼】Tardis:
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左移一位，减去1，右移一位，分别都是干什么的，挺乱的

雪雪

回复【32楼】正点原子:
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很乱。能不能再讲一次，每一次移位，每一次加1，每一次减1，都给讲一下根据行不？

正点原子

回复【49楼】雪雪:
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电话我吧.
15902020353