nand flash 移植

hpdell

最近把历程的 nand flash 程序移植到 MT29F32G08CBACA 这个芯片上，出现如下问题，

如果单独使用如下函数进行测试是是正常的，

  FTL_Init() ;

  NAND_EraseBlock(4000);

    uint32_t RWDataSize = 8192 * 4;
  uint8_t  * nand_F_tx_buff =  (uint8_t  *)mymalloc(SRAMEX, RWDataSize );        
  uint8_t  * nand_F_rx_buff =  (uint8_t  *)mymalloc(SRAMEX, RWDataSize );        
  uint8_t i=0;
  for(cc=0; cc < RWDataSize; cc++)
  {
    nand_F_tx_buff[cc] = i * 2 ;
    nand_F_rx_buff[cc] = 0;
    i ++;
  }  

  NAND_WritePage( 4000, 6, &nand_F_tx_buff[0], 512);
  NAND_ReadPage(4000, 6, &nand_F_rx_buff[0], 512);   

  if( Buffercmp_8(&nand_F_tx_buff[0], &nand_F_rx_buff[0], 512) == 0)
    printf("NAND Data Read Write 8192 * 4 Test OK     ...  DD \r\n\r\n");
  else
    printf("NAND Data Read Write 8192 * 4 Test Error  ...  EE \r\n\r\n");   


  myfree(SRAMEX, nand_F_tx_buff);
  myfree(SRAMEX, nand_F_rx_buff);

上述测试是OK的

但是如果使用LUT功能建立分区表 就出错，格式化也是出错，也就是如下函数
u8 FTL_CreateLUT(u8 mode)

另外  hnand1.Init.ECCPageSize = FMC_NAND_ECC_PAGE_SIZE_1024BYTE;       //ECC页大小为1024字节 这个我配置是1024字节，根据资料介绍是1024字节，还有

还有#define NAND_ECC_SECTOR_SIZE                1024                        //执行ECC计算的单元大小，默认1024字节 我也改成了1024，

不知道其他的是否还需要修改啊 ？？？

mt29f32g08cbaca芯片的ecc资料介绍：


mt29f4g08abada芯片的ecc资料介绍：

还有这个地方的 i = nand_dev.page_mainsize + 0X10 + eccstart * 4;        //计算写入ECC的spare区地址   0X10是怎么得来的啊   ？？？？？？？

正点原子

hpdell 发表于 2016-12-26 14:31
你好，目前我这个 nand flash 芯片是MLC的，不知道 stm是否支持啊，但是看stm资料貌似只支持 SLC 的nand  ...

不支持MLC啊。。。

hbyue

楼主有stm32f407

hbyue

楼主有stm32f407通过fsmc访问nand flash的例程嘛

hpdell

hbyue 发表于 2016-12-15 15:36
楼主有stm32f407通过fsmc访问nand flash的例程嘛

你好，正点原子就有啊，我也是使用它们的历程来改的啊, 但是目前移植到 这个 MT29f32g08的芯片上面也还没有成功哟，你有什么好的建议啊 ？？？

hpdell

hbyue 发表于 2016-12-15 15:35
楼主有stm32f407

有429的哟

hbyue

hpdell 发表于 2016-12-16 09:19
有429的哟

我是在STM32F103的fsmc nand.c，fsmc nand.H上更改的

正点原子

是我们开发板？还是你自己设计的硬件？

hbyue

正点原子 发表于 2016-12-17 16:40
是我们开发板？还是你自己设计的硬件？

自己开发的，通过FSMC总线访问NAND FLASH，不过电路都是大致相同。

hpdell

正点原子 发表于 2016-12-17 16:40
是我们开发板？还是你自己设计的硬件？

我是吧你们的历程 程序移植到到我的工程上，

我现在的的芯片时 MT29F32G08， 不过这个芯片 的 spare 是 1024，不知道 除了上述我提到的地方外，还有哪些需要修改的啊 ？？

hpdell

看来这个帖子要石城大海了啊 ？？？？？？？？？？？？？？？？？？？

难道大家使用的 ECC 都是 512Byte的莫 ？？？？？？？？？？？？？？？？？？

正点原子

hpdell 发表于 2016-12-17 19:26
我是吧你们的历程 程序移植到到我的工程上，

我现在的的芯片时 MT29F32G08， 不过这个芯片 的 spare  ...

spare区不影响的

hpdell

正点原子 发表于 2016-12-26 01:01
spare区不影响的

你好，目前我这个 nand flash 芯片是MLC的，不知道 stm是否支持啊，但是看stm资料貌似只支持 SLC 的nand flash
我现在如果不使用 ecc 功能的话，读写完全没有问题，但是使用 ecc spare 功能就不行了

hpdell

正点原子 发表于 2016-12-27 22:17
不支持MLC啊。。。

原来如此啊，看来还是得更换 SLC 系列的nand flash 芯片了

hbyue

MLC的芯片CE，RB，WP外设各有2个，STM32F4没有那么多接口

hpdell

hbyue 发表于 2017-1-2 08:56
MLC的芯片CE，RB，WP外设各有2个，STM32F4没有那么多接口

你好，这个 NAND Flash 的资料说明，型号是MT29F32G08CBACA






看上面的介绍说是什么 die 为双时，RB2 , CE2 需要使用，但是我目前使用的 die是为1啊，应该 这个 RB2, CE2不需要使用了吧 ？？？！！

hbyue

hpdell 发表于 2017-1-3 09:51
你好，这个 NAND Flash 的资料说明，型号是MT29F32G08CBACA

应该是的，看手册

gengluping

大神啊，帮帮我呗，我在f407的板子上通过fsmc扩展nandflash id读取错误。

heheda

hbyue 发表于 2016-12-17 14:21
我是在STM32F103的fsmc nand.c，fsmc nand.H上更改的

你好，我用的103，更改不成功啊，请问可以把你的发给我看看吗，811838514@qq.com

flybit

正点原子 发表于 2016-12-26 01:01
spare区不影响的

Hi ,原子哥。对于你们 FTL的代码和教程，我有个疑惑，当FATFS 重复写同一个sector时，那这个sector对应nandflash page里面原先的数据如何处理？是直接进行覆盖吗？需不需要对比下原有数据和重复写入的数据，然后进行合并后写入数据？

我在调试时发现FATFS会重复写一个sector。