stm32中flash存储和读取有问题，我把flash存储和读取程序放在时钟初始化里了，结果下电再上电程序好像跳过初始化了？？？？

zjs123 · 发表于 2016-11-23 10:41:27

本帖最后由 zjs123 于 2016-11-23 10:50 编辑

我的目的是限制程序使用次数，即下电上电4次后，程序就不运行了，我的想法是把4作为判断条件，每次上电，从flash读取上次存储进来的数据n，然后n++，再把n和4比较，小于4程序接着往下正常运行，大于4就进入while｛1｝死循环，让程序死在里面，同时把n存储到flash里，我把flash读和写的程序写到时钟初始化里，实验时发现，没有起作用，但是我用jlink硬件仿真时，却清楚的看到n从0-4，而且大于4程序就不运行了，是正确的，可是不用jlink硬件仿真，直接下载到stm32单片机里却不行了，n大于4也还在正常运行，这是怎么回事呢？？？？

这是flash读和写的程序，因为我是限制上电下点次数，所以我把flash读写和4判断语句放在时钟初始化里了，这样每次上电初始化时钟时就会执行flash读写和4判断，实现上电次数小于4正常运行，大于4不运行

zjs123 · 发表于 2016-11-23 10:45:49

C:\Users\Administrator.EIT-20160724VEA\Desktop

zjs123 · 发表于 2016-11-23 11:16:11

自己顶，有知道怎么回事的吗

密耳 · 发表于 2016-11-23 11:58:18

倒第二句的
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);

可以去掉

止天 · 发表于 2016-11-23 12:04:29

你怎么确定大于4还可以运行，还有在擦出前加一句 FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数据缓存

密耳 · 发表于 2016-11-23 12:05:27

不行的话，就是硬件检测有问题的，，如电源回路电容量小，时间来不及。。你插调试器实际不存在掉电的问题

zjs123 · 发表于 2016-11-23 15:08:16

密耳发表于 2016-11-23 12:05
不行的话，就是硬件检测有问题的，，如电源回路电容量小，时间来不及。。你插调试器实际不存在掉电的问题

这个我们也想到了，下电后，我们用示波器看了，单片机电源确实很快就从3.3降到0v左右，我们也试过下电1分钟再上电，可是都不行。对了，有一个奇怪现象，开环控制可以实现运行3次就不运行，闭环就不行

zjs123 · 发表于 2016-11-23 15:10:12

止天发表于 2016-11-23 12:04
你怎么确定大于4还可以运行，还有在擦出前加一句 FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数 ...

仿真时，可以在硬件仿真界面看到n值变化，n大于4程序就不运行，死在里面了，实验调试，上电下电超过4次，程序还是在正常运行

zjs123 · 发表于 2016-11-23 15:20:49

止天发表于 2016-11-23 12:04
你怎么确定大于4还可以运行，还有在擦出前加一句 FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);//FLASH擦除期间,必须禁止数 ...

加FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);编译报错..\OBJ\CAR.axf: Error: L6218E: Undefined symbol FLASH_DataCacheCmd (referred from timer.o).这是怎么回事，头文件#include "stm32f10x_flash.h"我也包括了啊

zjs123 · 发表于 2016-11-23 15:21:23

密耳发表于 2016-11-23 11:58
倒第二句的
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);

去了也不行

yuzeyuan1 · 发表于 2016-11-23 16:15:33

zjs123 发表于 2016-11-23 15:08
这个我们也想到了，下电后，我们用示波器看了，单片机电源确实很快就从3.3降到0v左右，我们也试过下电1分 ...

在你的代码中我没有看到flash擦除相关的代码，那我是不是可以理解为你没有擦除就写入了新数据，那3次不就说的通了。
开始是全1，如果date ＝ 1，写入，变成11111111110，再读出来是date = 1,date++后再写入变成11111111100，而不是11111111101，因为你没有擦除，这样再读出来是date = 3，然后date++后的4再写入就是11111111000了，再读出就是7已经大于4

zjs123 · 发表于 2016-11-23 16:48:57

yuzeyuan1 发表于 2016-11-23 16:15
在你的代码中我没有看到flash擦除相关的代码，那我是不是可以理解为你没有擦除就写入了新数据，那3次不就 ...

有擦除程序啊，void FLASH_WriteByte(u32 addr ,u16 data)函数里不是有擦除语句吗——FLASHstatus=FLASH_ErasePage(addr);

zjs123 · 发表于 2016-11-23 16:50:12

yuzeyuan1 发表于 2016-11-23 16:15
在你的代码中我没有看到flash擦除相关的代码，那我是不是可以理解为你没有擦除就写入了新数据，那3次不就 ...

而且我读出来的数和4比较，大于4就死循环，7也大于4也应该死循环啊

abdfgh · 发表于 2016-11-23 17:02:21

不知道你用的是什么芯片,我用的F407,也用过自带的FLASH做EEPROM,每次写入要求是4字节,没有看到你有读取的函数,读取也要求读出来4字节,否则会出错,你可以试试把DATA存如到一个全局数组中用来记录次数,写入和读取都以数组元素为单位就好了.

zjs123 · 发表于 2016-11-23 17:22:37

abdfgh 发表于 2016-11-23 17:02
不知道你用的是什么芯片,我用的F407,也用过自带的FLASH做EEPROM,每次写入要求是4字节,没有看到你有读取的函 ...

我用的是stm32f103rbt6

abdfgh · 发表于 2016-11-23 17:48:37

zjs123 发表于 2016-11-23 17:22
我用的是stm32f103rbt6

读取长度和写入长度要和4字节对齐,用Flash_Read()函数读取,判断,然后自++然后Flash_Write()写入,写入地址要避开你的程序部分.

zjs123 · 发表于 2016-11-23 19:45:11

abdfgh 发表于 2016-11-23 17:48
读取长度和写入长度要和4字节对齐,用Flash_Read()函数读取,判断,然后自++然后Flash_Write()写入,写入地址 ...

地址我选的是flash最后一页，肯定避开了程序代码占用的空间，rbt6flash是128K，和F407空间大小不一样，我是16位写入和读出，应该没问题

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stm32中flash存储和读取有问题，我把flash存储和读取程序放在时钟初始化里了，结果下电再上电程序好像跳过初始化了？？？？

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