SDRAM部分数据读取错误，是什么原因

流年丶

MCU位stm32f429，外部SDRAM是16M。配置除了刷新周期和正点原子例程不一样，其余都是一样的。（由于内存大小不一样，算出来的刷新周期也不一样）。

void fsmc_sdram_test(void)     //测试程序
{  
        u32 i=0;            
        u32 temp=0;                                                       
        for(i=0;i<8*1024*1024;i+=8*1024)
        {
                *(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+i)=temp;
                temp++;
        }
        for(i=0;i<8*1024*1024;i+=8*1024)
        {       
                  temp=*(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+i);
                        printf("%d\r\n",temp);
        }                                         
}
上面测试程序的结果是：1024个数据，有5~20个数据是错误的，其余都正常。
有没有可能是在自刷新的时候，MCU还在写入数据，导致读出来的数据出错了？       

正点原子

[mw_shl_code=applescript,true]        //每隔32K字节,写入一个数据,总共写入1024个数据,刚好是32M字节
        for(i=0;i<32*1024*1024;i+=32*1024)
        {
                tempbuf[temp]=*(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+i);//保存原来的数据
                delay_us(1);
                *(vu32*)(Bank5_SDRAM_ADDR+i)=temp;
                temp++;
        }[/mw_shl_code]

正点原子

貌似你这样频繁写会有一点bug，参考下我们综合实验的写入方式。

流年丶

正点原子 发表于 2016-11-14 19:15
[mw_shl_code=applescript,true]        //每隔32K字节,写入一个数据,总共写入1024个数据,刚好是32M字节
        for(i=0 ...

问题找到了，在数据读出的时候，加了printf打印函数。原子哥，有没有可能是由于printf打印函数花费的时间太久，导致在自刷新的时候，还在写入数据？