求助大神：关于OLED 写入数据时 列地址的设定问题

monkeyliu

在看OLED实验时有一个地方不明白，希望各位大神指导一下，谢谢
更显显存到OLED的函数是：
void OLED_Refresh_Gram(void)
{
    u8 i,n;
    for(i=0;i<8;i++)
    {
        OLED_WR_Byte (0xb0+i,OLED_CMD); //设置页地址（ 0~7）
        OLED_WR_Byte (0x00,OLED_CMD); //设置显示位置—列低地址
        OLED_WR_Byte (0x10,OLED_CMD); //设置显示位置—列高地址
        for(n=0;n<128;n++)OLED_WR_Byte(OLED_GRAM[n],OLED_DATA);
    }
}  

问题1：这里起始列地址只设定了一次，那么写完第一个字节后，列地址会自动加1变成第2列，然后自增到127列（128个字节写完后会变到第2页，直到第7页）？
问题2：列地址低4位是0x-0f，高4位是0x10-1f，有效列地址是256个，这里我们只写了128个，后面的128列SSD1306也是支持的？假如屏幕分辨率从128*64变成了256*64，SSD1306理论上也是可以的？
关于第二个问题我在其他地方看到网友的解释如下，不知道对不对，我也贴出来大家可以看下

monkeyliu

我顶，这么久怎么没人看见呢