外部sram实验 直接给地址赋值如何区分 赋值的是SRAM还是stm32内部flash

ftmcu

stm32f103 外部Sram实验中 函数
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
        for(;n!=0;n--)  
        {                                                                                    
                *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;          
                WriteAddr++;
                pBuffer++;
        }   
}       
中        *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;          直接给地址0x68000000赋值 如何区分他是Stm32内部Flash还外部SRAM。

如果Bank1_SRAM3_ADDR=0x80000000   在Stm32内部Flash已经初始化，而且解锁了和外部Sram都初始化完成后，应该是给哪个赋值？
求各位大神解答。

zuozhongkai

看STM32的参考手册，存储器和FSMC章节！哪个地址区域是flash的，哪个是SRAM的，上面写的清清楚楚

龙之谷

地址区分

shikihane

32理论寻址最大4G，里面有一片是专门给拓展RAM的，详细见手册

ftmcu

谢谢你们。看了M3内核，发现内存映射，和位带操作，stm32内部Flash和外扩Sram都映射在M3 External RAM区，通过定义不同地址，实现读写。