写EEPROM 24C16一个字节为什么要延时4MS以上的时间？

action99

//在AT24CXX指定地址写入一个数据 //WriteAddr :写入数据的目的地址 //DataToWrite:要写入的数据 voidAT24CXX_WriteOneByte(u16 WriteAddr,u8 DataToWrite){      u16ju;      IIC_Start();     if(EE_TYPE>AT24C16)        {                IIC_Send_Byte(0XA0);           //发送写命令                IIC_Wait_Ack();               IIC_Send_Byte(WriteAddr>>8);//发送高地址     }else        {                     ju=WriteAddr/256;           IIC_Send_Byte(0XA0+((WriteAddr/256)<<1));  //发送器件地址0XA0,写数据     }      IIC_Wait_Ack();         ju=WriteAddr%256;               IIC_Send_Byte(WriteAddr%256);        //发送低地址               IIC_Wait_Ack();      IIC_Send_Byte(DataToWrite);             //发送字节                                                        IIC_Wait_Ack();                IIC_Stop();                             //产生一个停止条件      delay_ms(4);    } 每写一个字节都需要延时一个4MS的时间，如果少于4MS数据就会出错，这是为什么？如果需要同时写入100个字节就需要400MS，时间也太浪费在里面了吧，请大神指教！！！！！！！！！！在线等 。。。。

action99

小温 发表于 2016-10-26 17:38
看看AT24Cxx的数据手册，上面有一个Twr的指标值

从规格书到看到是5MS，相当于每写一个字节就需要延时最多5MS时间后，再写下一个字节，对吧。这样就讲通

action99

希望有大哥指教，谢谢。在线等

小温

看看AT24Cxx的数据手册，上面有一个Twr的指标值

xkwy

楼上正解，而且这只是最大值，你可以使用“Acknowledge Polling”方式会更快。

BigDiong

action99 发表于 2016-10-26 17:07
从规格书到看到是5MS，相当于每写一个字节就需要延时最多5MS时间后，再写下一个字节，对吧。这样就讲通 ...

最大时间5ms，3ms的延时能满足要求吗？

BigDiong

我有个3ms延时，写失败的片子，只改动了在等待ack函数中，增加了延时，又可以了。这是为什么？示波器上，还是只是3ms的间隔