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在TFTLCD实验中,读寄存器时为什么不考虑"假读"?

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发表于 2012-9-12 09:54:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

在 8080 方式下读数据操作的时候,我们有时候(例如读显存的时候)需要一个假读命(Dummy Read),以使得微控制器的操作频率和显存的操作频率相匹配。在读取真正的数据之前,由一个的假读的过程。这里的假读,其实就是第一个读到的字节丢弃不要,从第二个开始,才是我们真正要读的数据。
<stm32不完全手册>155。

/读寄存器
u16 LCD_ReadReg(u8 LCD_Reg)
{            
 u16 t;
 LCD_WR_REG(LCD_Reg);  //写入要读的寄存器号 
 GPIOB->CRL=0X88888888; //PB0-7  上拉输入
 GPIOB->CRH=0X88888888; //PB8-15 上拉输入
 GPIOB->ODR=0XFFFF;    //全部输出高
#if LCD_FAST_IO==1 //快速IO
 LCD_RS_SET;
 LCD_CS_CLR;
 //读取数据(读寄存器时,并不需要读2次)
 LCD_RD_CLR;
 delay_us(5);//FOR 8989,延时5us       
 LCD_RD_SET;
 t=DATAIN; 
 LCD_CS_SET;
#else
 LCD_RS=1;
 LCD_CS=0;
 //读取数据(读寄存器时,并不需要读2次)
 LCD_RD=0;       
 LCD_RD=1;
 t=DATAIN; 
 LCD_CS=1;
#endif 
 GPIOB->CRL=0X33333333; //PB0-7  上拉输出
 GPIOB->CRH=0X33333333; //PB8-15 上拉输出
 GPIOB->ODR=0XFFFF;    //全部输出高
 return t; 

       

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发表于 2012-9-12 09:55:59 | 显示全部楼层
因为数据手册就是这么写的。
我是开源电子网www.openedv.com站长,有关站务问题请与我联系。
正点原子STM32开发板购买店铺http://openedv.taobao.com
正点原子官方微信公众平台,点击这里关注“正点原子”
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 楼主| 发表于 2012-9-12 10:02:58 | 显示全部楼层
是不是读GRAM的时候有假读,读寄存器就不需要考虑?
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 楼主| 发表于 2012-9-12 10:03:39 | 显示全部楼层
回复【2楼】正点原子:
---------------------------------
是不是读GRAM的时候有假读,而读寄存器的时候就不需要考虑?
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发表于 2015-12-5 14:52:55 | 显示全部楼层
回复【2楼】正点原子:
---------------------------------
需要一个假读命(Dummy Read),以使得微控制器的操作频率和显存的操作频率相匹配。
这句话不是很明白,能不能详细解释下假读的作用?
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发表于 2015-12-5 15:24:36 | 显示全部楼层
回复【4楼】lzcmoody:
---------------------------------
看LCD控制器的datasheet,假读是官方要求的,如果其他控制器的datasheet没有要求就不需要这个步骤
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发表于 2015-12-5 15:29:40 | 显示全部楼层
回复【5楼】STM32基础篇:
---------------------------------
这个应该是官方datasheet里面写的,先去看看那个吧
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