掉电检测怎么也进不了中断，差不多持续一星期了。快崩溃了。

stm0574 · 发表于 2012-8-27 08:19:51

stm32f103ze的片子，手段用尽还是进不了中断。

正点原子 · 发表于 2012-8-27 08:44:17

给个别人的经历(STM32学习笔记4（失败的尝试）-掉电检测+Flash存取 ):
看到STM32有PVD的掉电检测功能，flash也可以直接存取；就动了用flash掉电保存参数的念头。
1、搞定Flash擦、写函数。
void F_ErasePage(u32

age_Address)
{
U32 tmp;
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{  //PutCnstStr2Usart1("waiting\n"); }
FLASH->SR |= FLASH_FLAG_PGERR;
FLASH->CR |= CR_PER_Set;
FLASH->AR=Page_Address;
FLASH->CR |= CR_STRT_Set;
  while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{  //PutCnstStr2Usart1("waiting\n"); }
FLASH->CR &= ~CR_PER_Set;//这个不能忘
}
void FLASH_Program(u32 Address, u16 Data)
{
U32 tmp;
Fstart:
if((FLASH->CR&CR_LOCK_Set)==CR_LOCK_Set)  //如果写被锁死
{
  FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
    FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
    //PutCnstStr2Usart1("Unclock\n");
}
  while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{
  //PutCnstStr2Usart1("waiting\n");
}
FLASH->CR |= CR_PG_Set;
*(vu16*)Address = Data;
FLASH->CR &= ~CR_PG_Set;
if((FLASH->SR&FLASH_FLAG_PGERR)==FLASH_FLAG_PGERR)
{
  //PutCnstStr2Usart1("No earase\n");
  F_ErasePage(Address);
  goto Fstart;//竟然用了goto，咳咳^_^
}
}
有了这两个函数基本就行了，反正一次要擦一个page，全拿过来保存参数就行了，比较可靠。
U16 const flashdata[1024]__at(0x08001000);//因为flash一次能且只能写16bit，另外访问奇地址会出错。
还有不要忘了#include <absacc.h>，绝对定位全靠它了。
将要保存的参数放到一个结构里面，每次上电复位的时候加载，需要存储时写入flash
2、搞定掉电检测

void

VD_Init(void)
{
NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStruct;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannel =

VD_IRQChannel;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0x00;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0x00;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE;
  RCC_APB1PeriphClockCmd( RCC_APB1Periph_TIM2 | RCC_APB1Periph_TIM3 |
RCC_APB1Periph_TIM4 | RCC_APB1Periph_USART2|RCC_APB1Periph_PWR, ENABLE); //_PWR, ENABLE); // 这个是必需的
PWR->CR |=  1<<4;//使能
PWR->CR |=  0xE0;//2.9V检测
NVIC_Init(&NVIC_InitStruct);//借用一下库，允许中断
}
寄存器设置有效，手动置相应中断标志可进入中断
3、联合工作，失败
void

VD_IRQHandler(void)
{
U16 i;
U32 tmp;
tmp = 0x08001000;

if((PWR->CSR &

WR_FLAG_PVDO)==PWR_FLAG_PVDO) //低于阈值（电压回升也会中断）
{
  F_ErasePage(tmp);
  for(i=0;i<2000;i++)
  {
   FLASH_Program(tmp,i);
   tmp+=2;
  }
}

}
分析：1、Vdda经过LC滤波可能会比Vdd掉的慢，而据说stm32会因此产生检测问题。2、电源回路电容量小，时间来不及。
尝试：从ATX电源上拆了一个1000uF的电容，接上，无改善。
思考：把掉电检测跟电源脚做在一起实在意义不大，一般情况下MCU的电源都是经过LDO稳压的，掉电检测使用专门的IO，可以用稳压器前的电压用于检测。
由于目前还不能对电路板进行破坏性改造，手头也没有示波器，可调电源，暂时放弃对此做进一步的研究。
套用某大人物的逻辑，这次尝试是部分失败，

shuilian007 · 发表于 2012-8-27 08:48:20

回复【楼主位】stm0574:
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在休眠前设置好这个中断允许,就是那几个中断允许位置1就可以,一旦电压低于门槛电压,就中断触发复位了,

stm0574 · 发表于 2012-8-27 09:23:50

回复【2楼】正点原子:
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多谢版主，这个例程我前些天也找到了。
说实话，我觉得我的配置没有大的问题，但就是进不了中断。
我十分怀疑是外部硬件是否有什么问题，但是查看了ST的中、英文手册，相应的内容提到的都比较少。也没看出什么问题。
因为我这里条件非常有限，也无法提供外部的直流电源做模拟，现在基本上束手无策了。

正点原子 · 发表于 2012-8-27 10:34:49

回复【4楼】stm0574:
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可调电源都没有？？？？那你怎么测试啊。。。

stm0574 · 发表于 2012-8-27 11:36:46

回复【5楼】正点原子:
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往外部EEPROM里写数据，上电再读出来。
可是数据一直没有写进去。
我只写一个数据，所以只要能进中断，按2.9V的掉电检测，这个时间肯定够保存一个数据的。

正点原子 · 发表于 2012-8-27 12:44:32

用printf观察一下，有仿真器就最好跟踪了。

stm0574 · 发表于 2012-8-27 12:59:33

回复【7楼】正点原子:
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不瞒你说，我不知道怎么用printf，我根本没有用过。

正点原子 · 发表于 2012-8-27 13:42:54

看我们的串口实验，熟悉下

stm0574 · 发表于 2012-8-27 16:45:13

回复【9楼】正点原子:
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谢版主指点，因为进不了PVD，已经放弃了。
现在改用复位芯片的管脚做EXTI中断检测，已实现。

现在就等待你们的stm32f103zet的新板推出.
我看了你们的功能预览图，基本上把芯片的功能都挖掘出来了，非常不容易。