关于STM32掉电写Flash的求助

huwei

//PVD中断函数
void PVD_IRQHandler(void)
{
        EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);
       
        if(PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_PVDO))
        {
               
                STMFLASH_Write(0X08070000,(u16*)DateNum_Str,3);

                printf("DateNum_Str Saved\r\n");

        }
}
在进行掉电测试的时候发现，总是隔一次成功保存一次，也就是说连续掉电两次，一次能写成功，一次写失败，不知道是哪里的原因。如果把STMFLASH_Write(0X08070000,(u16*)DateNum_Str,3);注释掉，每次掉电都能执行printf("DateNum_Str Saved\r\n");
求助高手给指点一下

xuande

如果这么有规律，
不妨先查下检验程序，
也许活干好了，但验收出错了。

负西弱

写FLASH对电压有要求，最好能在掉电前把需要写的扇区擦除，以便减少掉电后操作FLASH的时间

huwei

xuande 发表于 2016-6-23 16:12
如果这么有规律，
不妨先查下检验程序，
也许活干好了，但验收出错了。

能给具体指点一下吗？
//-----PVD.C------
void EXTI_Configuration(void)
{
        EXTI_InitTypeDef EXTI_InitStructure;
       
        EXTI_DeInit();
        EXTI_StructInit(&EXTI_InitStructure);
        EXTI_InitStructure.EXTI_Line=EXTI_Line16;
        EXTI_InitStructure.EXTI_Mode=EXTI_Mode_Interrupt;
        EXTI_InitStructure.EXTI_Trigger=EXTI_Trigger_Rising;
        EXTI_InitStructure.EXTI_LineCmd=ENABLE;
       
        EXTI_Init(&EXTI_InitStructure);
}

void PVD_NVIC_Configuration(void)
{
        NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure;
       
        NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_1);
        NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel=PVD_IRQn;
        NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority=1;
        NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority=0;
        NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd=ENABLE;
       
        RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR,ENABLE);
       
        NVIC_Init(&NVIC_InitStructure);
}

void PVD_IRQHandler(void)
{
        EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);
       
         if(PWR_GetFlagStatus(PWR_FLAG_PVDO))
        {
               
                STMFLASH_Write(0X08070000,(u16*)DateNum_Str,3);

                printf("DateNum_Str Saved\r\n");

        }
}
//--------main.c------

        PVD_NVIC_Configuration();
        EXTI_Configuration();
        PWR_PVDLevelConfig(PWR_PVDLevel_2V9);
        PWR_PVDCmd(ENABLE);

huwei

负西弱 发表于 2016-6-23 17:13
写FLASH对电压有要求，最好能在掉电前把需要写的扇区擦除，以便减少掉电后操作FLASH的时间

您的意思是：上电后先擦写要保存数据的扇区，掉电后在PVD中断里只做写操作？STMFLASH_Write这个函数要拆分吗？把擦除和写入分开来操作？是这个意思吗？