关于SRAM实验探讨

善良的二哥

外部SRAM实验，板子：战舰（STM32F103ZET6），SRAM芯片是IS62WV51216（16位，512K，即1MB），这边把它地址定义成0-0xFFFFFB
实验用地址线A0-A18，总共是19根，2^19=512K，接下来是我个人理解：
1.A0每加1对应着IS62WV51216移动了2B，即16位。至于是这16位里面的低8位还是高8位我感觉应该是UB和LB控制的。
2.HADDR[19:0]和FSMCA[18:0]的对应关系：
                                                               HADDR[19:1]------>FSMCA[18:0]
                                                          而  HADDR[0]------>UB/UL
3.如果访问IS62WV51216的第0个字节，此时HADDR[19:0]=0x00000，FSMCA[18:0]=000 0000 0000 0000 0000(b)，而UB和UL是1还是0？
                            若访问第一个字节，此时HADDR[19:0]=0x00001，FSMCA[18:0]是不是还是000 0000 0000 0000 0000(b)，此时UB和UL是不是发生了变化，用来控制低8还是高8位？
                            若访问第二个字节，此时HADDR[19:0]=0x00002，FSMCA[18:0]是不是还是000 0000 0000 0000 0001(b)，此时UB和UL是不是应该和访问第0个字节相同呢？
                    ....... 若访问最后一个字节，此时HADDR[19:0]=0xFFFFF，FSMCA[18:0]是不是还是111 1111 1111 1111 1111(b)？
4.虽然IS62WV51216是16位，但是可以以字节为单位访问，主要有UB和UL控制。

关于以上四条，不知道我理解是否正确，欢迎大家讨论指导！

xkwy

简单跟你说吧，
1、这个芯片是16位的，不能理解成2*8位，即它每16位为一个单元，一共有2^19个单元，每个单元是不可拆分的。
2、关于UB和LB，这两个引脚是控制D0-D7和D8-D15是否有效，
前面说了，每16个位为一个单元，那么如果我只想修改这个单元的低八位怎么办？难道需要读-改-写三步吗？
不必这么麻烦，你可以将UB=1，LB=0，那么IS62WV51216收到16位数据后，一看UB=1，就不鸟你这高八位的数据了

附上一张真值表：

善良的二哥

xkwy 发表于 2016-1-15 19:29
简单跟你说吧，
1、这个芯片是16位的，不能理解成2*8位，即它每16位为一个单元，一共有2^19个单元，每个单 ...

恍然大悟，多谢多谢！看来还是得多看数据手册，自以为然要不得！