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stm32内部flash的一些问题

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发表于 2012-7-9 10:49:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
我使用的是库函数来对内部flash进行操作了,查阅那个《STM32闪存编程.pdf》中,要求“进行闪存编程操作时(写或擦除),必须打开内部的RC振荡器(HSI) 。 ”,我抱着测试这个的心里,将
void RCC_Configuration(void)
 {
     SystemInit(); 
 }
中的“SystemInit(); ”中的“RCC->CR |= (uint32_t)0x00000001;”这个开启内部HSI的语句注释掉,但是,调试查看结果,依然是可以檫写内部的flash的,这里我不知道是什么原因,这个是因为,开启外部的HSE也是可以的吗?
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发表于 2012-7-9 11:47:03 | 显示全部楼层
这个貌似和内部RC振荡器无关吧.
我是开源电子网www.openedv.com站长,有关站务问题请与我联系。
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 楼主| 发表于 2012-7-9 13:45:07 | 显示全部楼层
回复【2楼】正点原子:
---------------------------------
嗯,谢谢原子大哥,希望原子大哥也能在豪华板上添加一个内部flash操作的实验,这个mini板的内部flash图片的实验,感觉有点云里雾里的,希望原子大哥在豪华板的能讲解清楚,另外,也期待原子大哥能早点出豪华板呀,坐等了,,,,,,
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