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楼主 |
发表于 2015-11-4 23:40:25
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回复【7楼】xuande:
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其实就是原子例程外部SRAM实验,我想说的是原子例程外部SRAM实验的SRAM芯片是一个512K,16字节的SRAM,那么其内存应该是0X00000000,
0X00000001,0X00000002,........到512K,总共512K个地址单元,
而原子哥程序里面有这一句话,*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer; 我就觉得WriteAddr的数字不应该大于512K,因为
IS62WV51216芯片总共才只有512K个地址单元,但是 原子哥里面对IS62WV51216芯片进行写时候有下面这一函数,我就觉得下面的 i 不应该
大于512K,而1024*1024已经是1M了,这样的话当i大于512K的时候,写入IS62WV51216芯片的数据就会溢出了,不是吗?
for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
{
FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
temp++;
} |
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