开发板烧写老出错

shenqihao · 发表于 2015-10-28 08:45:21

串口烧写，换了一条线，可以烧写了，但是不是每次都可以成功，经常失败。
F407开发板

DTR电平置低(-3--12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变高(+3-+12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...3, 接收到:79
在串口COM4连接成功@115200bps，耗时312毫秒
芯片内BootLoader版本号：3.1
RDP除能次数：0
RDP使能次数：0
芯片PID：00000413
芯片已设置读保护，无法读取更多信息
芯片有读保护，请先擦除器件以清除读保护
去除读保护，并擦除成功
DTR电平置低(-3--12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变高(+3-+12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...3, 接收到:79
在串口COM4连接成功@115200bps，耗时327毫秒
芯片内BootLoader版本号：3.1
RDP除能次数：0
RDP使能次数：0
芯片PID：00000413
芯片已设置读保护，无法读取更多信息
第358毫秒，已准备好
开始编程芯片，共需写入9KB,耗时358毫秒
写入出错在0KB,进度100%,耗时374毫秒