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大神:在FLASH模拟EEPROM实验中,flash的数据缓存是是指什么意思啊?

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发表于 2015-10-15 16:03:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
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如题:
[mw_shl_code=c,true]FLASH_DataCacheCmd(DISABLE); /*FLASH擦数期间,禁止数据缓存*/[/mw_shl_code]


1>问题1:这里所说的FLASH模拟EEPROM,是指模拟EEPROM中能对FLASH一样对某个字节,或者字进行擦数,变成等操作,是这个意思吗?
2>问题2:如上:这里禁止数据缓存,是指什么意思?是指原先保存在FLASH中的数据会丢失?总线冲突?
恳请大神指导~

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1.  就是把stm32 的某一部分FLASH 作E2PROM使用,  读写地址需是2的倍数 2.  goto  definition..
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发表于 2015-10-15 16:03:27 | 显示全部楼层
1.  就是把stm32 的某一部分FLASH 作E2PROM使用,  读写地址需是2的倍数
2.  goto  definition..
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发表于 2015-10-16 09:23:29 | 显示全部楼层
我通常只用页写功能,毕竟寿命不行。
我所知,没有迹象表明缓存会影响写入,不放心可以冲洗缓存。
I See Fire.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.  只给方向,不妨碍思考
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发表于 2015-10-16 11:32:19 | 显示全部楼层
依据出处,PM0059:
If a Flash memory write access concerns some data in the data cache, the Flash write
access modifies the data in the Flash memory and the data in the cache.
I See Fire.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.·.  只给方向,不妨碍思考
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