关于字库地址安排的问题

dragon7799 · 发表于 2015-8-20 20:37:11

今天看汉字库示例，发现字库在扩展内存中的布局是一个一个紧挨着的，最开始是字库的基本信息。但是这样的安排有个问题，每个字库起始地址都不是 4k 的整数倍。这样导致随后更新该字库时，每次写 4096 字节时，都会横跨两个扇区，也就是写一个扇区都会对两个扇区进行读写甚至擦除操作。（即一个扇区可能会被擦除两遍）。

因此，考虑牺牲一点空间，让字库更新更顺畅些。这里就要求每个字库起始地址都是 4k 的整数倍即可。

相关的核心代码如下

[mw_shl_code=c,true]bool _UpdateFontMatrix(u8 aFontIndex) { u8 *lBuffer; u32 lBufferLength; u32 lSize; u32 lByteIndex; u32 lBaseAddress = 0; lBuffer = MEM_Alloc(InSRAM, ExFLASH_SECTOR_SIZE); // 分配 4096 个字节空间 if(lBuffer == NULL) return FALSE; oDebug("@"); // 从串口读取点阵大小 lSize = 0; while(USART_GetFlagStatus(USART1, USART_FLAG_RXNE) != SET); lSize |= (u32)(USART_ReceiveData(USART1) & 0xFF); while(USART_GetFlagStatus(USART1, USART_FLAG_RXNE) != SET); lSize |= (u32)(USART_ReceiveData(USART1) & 0xFF) << 8; while(USART_GetFlagStatus(USART1, USART_FLAG_RXNE) != SET); lSize |= (u32)(USART_ReceiveData(USART1) & 0xFF) << 16; while(USART_GetFlagStatus(USART1, USART_FLAG_RXNE) != SET); lSize |= (u32)(USART_ReceiveData(USART1) & 0xFF) << 24; oDebug("@"); switch(aFontIndex) { case 0: // 更新UNIGBK.BIN gGBKInfo.gbkUniAddr = ExFLASH_FONT_BASE + (sizeof(gGBKInfo) + ExFLASH_SECTOR_SIZE - 1) / ExFLASH_SECTOR_SIZE * ExFLASH_SECTOR_SIZE; // 信息头之后，紧跟UNIGBK转换码表 gGBKInfo.gbkUniSize = lSize; // UNIGBK大小 lBaseAddress = gGBKInfo.gbkUniAddr; break; case 16: gGBKInfo.gbk16Addr = gGBKInfo.gbkUniAddr + (gGBKInfo.gbkUniSize + ExFLASH_SECTOR_SIZE - 1) / ExFLASH_SECTOR_SIZE * ExFLASH_SECTOR_SIZE; // UNIGBK之后，紧跟GBK16字库，地址对齐 4096 字节。 gGBKInfo.gbk16Size = lSize; // GBK16字库大小 lBaseAddress = gGBKInfo.gbk16Addr; // GBK16的起始地址 break; case 24: gGBKInfo.gbk24Addr = gGBKInfo.gbk16Addr + (gGBKInfo.gbk16Size + ExFLASH_SECTOR_SIZE - 1) / ExFLASH_SECTOR_SIZE * ExFLASH_SECTOR_SIZE; // GBK16之后，紧跟GBK24字库，地址对齐 4096 字节。 gGBKInfo.gbk24Size = lSize; // GBK24字库大小 lBaseAddress = gGBKInfo.gbk24Addr; // GBK24的起始地址 break; case 32: gGBKInfo.gbk32Addr = gGBKInfo.gbk24Addr + (gGBKInfo.gbk24Size + ExFLASH_SECTOR_SIZE - 1) / ExFLASH_SECTOR_SIZE * ExFLASH_SECTOR_SIZE; // GBK24之后，紧跟GBK32字库，地址对齐 4096 字节。 gGBKInfo.gbk32Size = lSize; // GBK32字库大小 lBaseAddress = gGBKInfo.gbk32Addr; // GBK32的起始地址 break; } lBufferLength = 0; for(lByteIndex = 1; lByteIndex <= lSize; lByteIndex++) { while(USART_GetFlagStatus(USART1, USART_FLAG_RXNE) != SET); lBuffer[lBufferLength++] = USART_ReceiveData(USART1) & 0xFF; // 缓冲区满 if(lBufferLength == ExFLASH_SECTOR_SIZE || lByteIndex == lSize) { ExFLASH_Write(lBuffer, lBaseAddress + lByteIndex - lBufferLength, lBufferLength); // 写入 4096 个数据 lBufferLength = 0; LCD_DrawNum(FONTSIZE_16, lByteIndex * 100 / lSize, 138, 221, 3, FALSE, COLOR_BLACK, COLOR_WHITE); oDebug("@"); } } MEM_Free(InSRAM, lBuffer); // 释放内存 return TRUE; }[/mw_shl_code]

自己在Windows 上写了个 .Net 程序，通过串口将字库发送到战舰，更新字库成功。

顺便解释下，我的字库去掉了12点阵的，加了个32点阵的，字库起始从 8M 开始。供需空间将近 6M。

dragon7799 · 发表于 2015-8-20 20:46:16

另外，有时会重刷字库，但是大部分字库内容可能不会变化（比如有几个字的点阵有问题），这样更新整个字库时，大部分其实和原始扇区内容是一致的。所以，在判断是否需要擦除扇区前，可以加一步：判断是否要写入的内容和原先内容一致。如果一致，干脆就直接跳过该扇区了。

相关代码如下

[mw_shl_code=c,true]u8 gExFLASH_SectorBuffer[4096]; void ExFLASH_Write(u8* aBuffer, u32 aAddress, u16 aWriteLength) { u16 i; u8* lSectorBuffer = gExFLASH_SectorBuffer; u32 lSectorIndex = aAddress / ExFLASH_SECTOR_SIZE; // 扇区地址 u16 lOffsetInSector = aAddress % ExFLASH_SECTOR_SIZE; // 在扇区内的偏移 u16 lRemainBytesInSector = ExFLASH_SECTOR_SIZE - lOffsetInSector; // 扇区剩余空间大小 if(aWriteLength <= lRemainBytesInSector) lRemainBytesInSector = aWriteLength; while(1) { ExFLASH_Read(lSectorBuffer, lSectorIndex * ExFLASH_SECTOR_SIZE, ExFLASH_SECTOR_SIZE); // 读出整个扇区的内容 // 判断是否要写入的数据与该扇区原先的数据一致 for(i = 0; i < lRemainBytesInSector; i++) { if(lSectorBuffer[lOffsetInSector + i] != aBuffer) // 如果要写入的数据与原先的不同 break; } // 不一致 if(i < lRemainBytesInSector) { // 判断要写入的扇区位置是否已经擦除 for(i = 0; i < lRemainBytesInSector; i++) { if(lSectorBuffer[lOffsetInSector + i] != 0xFF) break; } // 需要擦除 if(i < lRemainBytesInSector) { ExFLASH_EraseSector(lSectorIndex); // 擦除这个扇区 for(i = 0; i < lRemainBytesInSector; i++) // 复制待写入数据 lSectorBuffer[lOffsetInSector + i] = aBuffer; ExFLASH_WritePages(lSectorBuffer, lSectorIndex * ExFLASH_SECTOR_SIZE, ExFLASH_SECTOR_SIZE); // 写入整个扇区 } else ExFLASH_WritePages(aBuffer, aAddress, lRemainBytesInSector); // 写已经擦除了的，直接写入扇区剩余区间. } aWriteLength -= lRemainBytesInSector; if(aWriteLength == 0) // 写入结束了 break; lSectorIndex++; // 扇区地址增1 lOffsetInSector = 0; // 偏移位置为0 aBuffer += lRemainBytesInSector; // 指针偏移 aAddress += lRemainBytesInSector; // 写地址偏移 lRemainBytesInSector = (aWriteLength > ExFLASH_SECTOR_SIZE) ? ExFLASH_SECTOR_SIZE : aWriteLength; }; }[/mw_shl_code]

以上代码均修改自原子的示例代码，并测试成功。不过没有完全测试所有情况，也许有 BUG 也说不准。