FLASH模拟EEPROM写数据写到一半出错是什么问题？

qhg2000

参考原子兄的程序改的
主要函数如下：
if (!FLASH_Write_Data(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2))
{//写入更新的缓冲区
return false;
}

bool FLASH_Write_Data(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 nLen)   
{  
u16 i;
volatile u8 temp=0;
for(i=0;i<nLen;i++)
{
if (FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer)!=FLASH_COMPLETE)
{
continue;
}
WriteAddr+=2;//地址增加2.
} 
return true;
} 

问题如下：
WriteAddr=0x802000;
nLen=0x400;
写之前检查过了，待写入的页面全为FFFF
问题是当写到i=0x24D的时候，就直接返回继续执行FLASH_Write_Data函数了。
但是我如果在i=0x24D的时候单步执行进入FLASH_ProgramHalfWord子函数，再跳出来就可以继续了？只要不进FLASH_ProgramHalfWord就出错，前面那些写进去的数据也都正取。
请问这可能是什么问题？

qhg2000

已解决，换了个后面的地址就行了。但不知道为什么。我看之前定义的地址命名都是空的，FLASH擦除也都成功的

正点原子

帮顶....