菜鸟请教STM32外部晶振电路

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最近开始画原理图，首先就是最小系统啦，参考战舰开发板、某火开发板、官方的硬件开发使用入门的外部晶振电路，都各不相同，又看了ST的晶体振荡器电路设计指南，还是有些不懂啊。我的理解是调整两个外部电容，使之与晶振的负载电容相等，看看战舰板上是22pF，难道8M晶振的负载电容是10pF？还有并联1M的电阻起什么作用呢？不加限流电阻是因为晶振功耗低？

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因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
 
1在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增加起振时间。 
2工作良好的振荡波形应该是一个漂亮的正弦波，峰峰值应该大于电源电压的70%。
   若峰峰值小于70%，可适当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。
   反之，若峰峰值接近电源电压且振荡波形发生畸变，则可适当增加负载电容。   
   例子：若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF，这个值与晶振内部等效电容接近最好，
            如果要达到8pF（内部电容的），则要选择外部两个电容为15pF，
            通常厂家建议的外接负载电容为10～30pF左右。并且C1，C2使用瓷片电容为佳。 
3用示波器检测OSCI(Oscillator input)管脚，容易导致振荡器停振，原因是：部分的探头阻抗小不可以直接测试，可以用串电容的方法来进行测试。
4当波形出现削峰,畸变时,可增加负载电阻调整(几十K到几百K).要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻，电阻使稳定，并加速晶振起振时间