H桥驱动芯片datasheet中的source driver,sink driver分别是什么意思？？？？希望明白人帮帮忙。。

mengxiao1980 · 发表于 2015-6-25 21:49:11

laidaihua · 发表于 2015-6-25 21:49:12

source driver是指H桥上臂MOSFET的驱动；
sink driver是指H桥下臂MOSFET的驱动。

英文中，Source是源出的意思，也就是说H桥上臂的MOSFET导通后会向负载流出电流；Sink是吸入的意思，也就是说H桥下臂的MOSFET导通后会吸入从负载流过来的电流。。

正点原子 · 发表于 2015-6-25 22:46:11

帮顶。。。。。

laidaihua · 发表于 2015-6-26 09:46:54

补充一点，H桥不完全都是MOSFET的，也有用双极型晶体管、IGBT、可控硅等的。
只不过目前比较常见的基本都是MOSFET的罢。。

mengxiao1980 · 发表于 2015-7-12 16:25:40

回复【4楼】laidaihua:
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多谢了

mengxiao1980 · 发表于 2015-7-14 16:15:55

回复【4楼】laidaihua:
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还有个问题想问一下您，电机驱动芯片中的crossover current protection是什么意思？不是太懂呢。

mengxiao1980 · 发表于 2015-7-15 16:31:42

回复【3楼】laidaihua:
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Gate pin source current、Gate pin sink current分别是MOS管的什么电流也不是很懂，麻烦您给解答一下吧。

laidaihua · 发表于 2015-7-16 09:36:19

回复【6楼】mengxiao1980:
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要理解crossover current protection，首先得说明一下什么是crossover。
在H桥的任意一边支路或半桥电路中，从电源到地之间接有一个上桥臂MOS管和一个下桥臂MOS管，分别由驱动器的两个互补输出控制，理论上，上下桥臂的MOS管是轮流导通的，即上管导通时，下管应截止，下管导通时，上管应截止。
但由于控制信号的各种延迟，以及电路分布参数的影响，在上下两管转换开关状态时，有可能会出现同时导通的瞬间，这就是crossover现象，国内一般称之为贯通。简而言之crossover就是指一支桥臂的上下管同时导通的现象。另外，在控制器错误操作时，也有产生crossover的可能性。
再看看crossover会造成什么样的问题？很明显，电源被两个MOS管短路了，于是会在crossover期间有很大的电流同时流过两个MOS管，非常容易烧坏MOS管，特别是N沟道的MOS管，烧坏后一般都是D-S短路，于是另一个MOS管也会跟着挂掉，严重的还会进而使电源挂掉。
再来理解crossover current protection就容易多了，从字面就可以知道，就是桥臂贯通电流保护，一般包括两个方面：
一方面是，在桥臂上出现过大电流时，立即停止驱动MOS管，这样可以避免MOS管烧坏，即使其中有一个管子烧坏了，也还可以有效防止故障进一步扩大；
另一方面是，硬件上就禁止两个MOS管同时导通，在两个MOS管导通控制信号之间插入一个很短的死区，在死区两个MOS管都是关闭的。

laidaihua · 发表于 2015-7-16 09:38:16

回复【7楼】mengxiao1980:
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Gate pin就是MOS管的栅极。。
source current和sink current的意思前面已经解释过了，这里就不赘述了。。

mengxiao1980 · 发表于 2015-7-16 15:16:26

回复【9楼】laidaihua:
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非常感谢您的解惑，谢谢您了。它这个Gate pin source current、Gate pin sink current此时应该指的是栅极电流，而不是指漏极电流吧？

laidaihua · 发表于 2015-7-16 19:03:50

回复【10楼】mengxiao1980:
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是的。。
栅极与源极之间有电容，所以存在source current和sink current，说白了就是栅源电容的充放电电流。。。。

mengxiao1980 · 发表于 2015-7-20 21:06:58

恩恩，谢谢了。

mengxiao1980 · 发表于 2015-8-13 09:41:55

回复【11楼】laidaihua:
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亲，最近在看datasheet(不是电机驱动芯片、H桥)时，有个概念感觉比较模糊。high side N-channel mosfet此处的high side是不是指漏极与电源电压相连的mos管，而low side N-channel mosfet是不是指漏极与地相连的mos管？不是这样的话，此处的high side、low side有分别是指什么意思呢？？

laidaihua · 发表于 2015-8-19 16:05:46

回复【13楼】mengxiao1980:
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High side就是指接到电源侧的器件，Low side就是指接到地一侧的器件。
至于是漏极还是源极则取决于构成桥的器件是N-MOSFET还是P-MOSFET，不能一概而论。
一般而言，大功率桥(不论是半桥还是全桥)，其High side和Low side侧器件都会采用N-MOSFET，原因是N沟道的MOS管导通电阻低、成本低、可靠性高，虽然High side的N-MOSFET的驱动电路要复杂一些，但如果是与桥集成在一起的话，并不会明显增加制造成本，仅仅是设计成本要高一点。
显然，High side用N-MOSFET时，漏极是接电源的；而Low side的N-MOSFET则是源极接地的，其漏极是与High side的源极相连的，而不是漏极接地。。

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