关于外部SRAM实验

善良的二哥

sram例程里的FSMC_SRAM_WriteBuffer（）程序里WriteAddr+=2改成WriteAddr++我知道了。这个我也仿真测试了，但是我现在遇到个问题，就是我不给外部SRAM赋值，然后读它的字节，为什么里面的数不是全0或者全1呢。每次断电再上电，显示的数据就不同了，这个是属于SRAM正常现象吗？
 //for(ts=0;ts<250000;ts++)testsram[ts]=0x11223344;//赋值语句去掉
  FSMC_SRAM_ReadBuffer(c,1000,6);
  LCD_ShowxNum(60,200,c[0],6,16,0);
  LCD_ShowxNum(60,220,c[1],6,16,0);
  LCD_ShowxNum(60,240,c[2],6,16,0);
  LCD_ShowxNum(60,260,c[3],6,16,0);
  LCD_ShowxNum(60,280,c[4],6,16,0);    
  LCD_ShowxNum(60,300,c[5],6,16,0);

还有一点不明白，在初始化中 ：

FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16位  

按照你咋tft显示实验中的说法，当Bank1接的是16位宽宽度的存储器时：HAADR[25-1]对应FSMC[24-0],如果是一个字节一个字节的写外部SARM，比如说写SRAM的地址0和地址1的时候FSMC-A0电平应该是不会变化的，写到地址2的是FSMC-A0的电平才会变化，也就是说写地址0和1的时候FSMC-A地址线的电平时相同的，这时候外部SRAM只能通过UB和LB电平来区别是地址0还是1？原子哥，我这么理解对面，我去试验下。

善良的二哥

第二个问题我测试了，死循环对奇数地址赋值和偶数地址赋值，发现A0电平还是跳变，只不过奇时只有UB有电平变化、偶时只有LB有电平变化。和我的猜想有点不同。。。另外我循环赋值的时候D0 D1数据线上也没有电平跳变呢？

正点原子

正常的，随机数据。

善良的二哥

回复【3楼】正点原子:
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谢谢原子哥回答，那是不是sram只有在写入数据以后它的值才不会变化呢？因为写入以后不断电情况下，读出来数据是固定的。麻烦原子哥帮我看下上面第二个FSMC-A0电平变化的问题，我的想法是不是正确的，谢谢！

正点原子

回复【4楼】善良的二哥:
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你读了哪些地址？
你读0,1,2,3,4,5，这几个地址，循环读，看A0变化不？

善良的二哥

回复【5楼】正点原子:
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原子哥，我循环的读0,1,23,4,5,发现A0和A1变化周期是一样的，按理说A1的变化周期约为A0的两倍吧。为什么会一样呢。
由于是16位宽存储器，A0应该是没间隔一个地址变化一次吧，但是我分别循环读0,2,4,6,8和1，3,5,7,9时，A0都是有波形变化的，且周期相同，这是为何？

正点原子

0=000
1=001
2=010
3=011
4=100
5=101

 A2,A1，A0的变化规律，就是上面这样了。

善良的二哥

回复【7楼】正点原子:
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谢谢原子哥回答：
这边接的是16位，HADDR[25:1]对应FSMC[24-0],FSMC_A0对应着HADDR[1],那么HADDR的值变化2，FSMC_A0才变化一次吧，也就是：
1=000，此时LB控制
2=000，此时UB控制
3=001，此时LB控制
4=001，此时UB控制
5=010，此时LB控制
是这样吗？

正点原子

回复【8楼】善良的二哥:
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SRAM就是16位的，你以16位访问，每一个地址变化，都会引起地址线的变化。

UB,LB，是高字节有效和低字节有效控制信号。
如果读16位数据，且是偶数地址，那么UB,LB都会输出低电平。

正点原子

林外楼主用示波器看看波形，就明白了。

善良的二哥

回复【9楼】 正点原子 :
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谢谢原子哥的耐心回答！下面这段是摘自你的库函数版本实验：

这边读写函数都是以一个字节（8位）来操作的：

void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
 for(;n!=0;n--) 
 {              
  *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);   
  ReadAddr+=1;
 } 
}

这边的ReadAddr自加1不会引起地址线的变化吧？

正点原子

回复【11楼】善良的二哥:
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加多1次就会了

善良的二哥

回复【12楼】正点原子:
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好的，谢谢原子哥耐心解答!么么哒。