stm32f205RGT6 flash模拟EEPROM出现没法页擦除

安安耶_

如果用例程stm32f105zet6，里面函数STMFLASH_Write，有页擦除FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);

但是我用的是stm32f205RGT6 flash模拟EEPROM，stm32f2xx.h发现没有flash寄存器 AR


并且stm32f2xx.flash.h中，只有函数
FLASH_Status FLASH_EraseSector(uint32_t FLASH_Sector, uint8_t VoltageRange);

没有例程：FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);

于是我直接注释STMFLASH_Write中的FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);发现可以写入读出，如“abc”，但是我写入另外一个新值的时候，如“qwe”，发现还是原来的“abc”，是不是我注释了擦除语句，导致没有擦除原来的“abc”，所以“qwe"没法写入，要怎么解决呢？

安安耶_

回复【3楼】正点原子:
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谢谢原子哥，原来是分成12区，不想以前一样只能页擦除，参考如下
http://wenku.baidu.com/link?url=J5RogiMACW_-hN2BD1Dz6FkhfIGuOdJ_SaYzMmQvf9OR9vJMgw6Lf0OH2vTWQrdZG2HG_-dOd3de9DOqvsD_htI8amPIFhYg1jW_2fYcYaC

安安耶_

typedef struct
{
  __IO uint32_t ACR;      /*!< FLASH access control register, Address offset: 0x00 */
  __IO uint32_t KEYR;     /*!< FLASH key register,            Address offset: 0x04 */
  __IO uint32_t OPTKEYR;  /*!< FLASH option key register,     Address offset: 0x08 */
  __IO uint32_t SR;       /*!< FLASH status register,         Address offset: 0x0C */
  __IO uint32_t CR;       /*!< FLASH control register,        Address offset: 0x10 */
  __IO uint32_t OPTCR;    /*!< FLASH option control register, Address offset: 0x14 */
} FLASH_TypeDef;

正点原子

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