FLASH模拟EEPROM出错

hopewise · 发表于 2015-5-30 15:37:37

是从淘宝买的STM32F030K6,完全抄原子哥的例程，FLASH模拟EEPROM没问的，只是学习之用。现要用STM32F030K6来开发产品,，比如#define    FLASH_SAVE_ADDR 0x08007000,还是一样，存储3个半字节内容。
         发现如下问题:
         工作中偶尔会出现自动复位,读出的内容变乱了，这是啥原因?

                              以下是我的定义，驱动函数完全抄原子哥的
#define    STM32_FLASH_SIZE 32                        //所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)
#define    STM32_FLASH_WREN 1                         //使能FLASH写入(0，不是能;1，使能)
#define    STM32_FLASH_BASE 0x08000000          //STM32 FLASH的起始地址
#define    FLASH_KEY1   0X45670123                    //第1个FLASH解锁键值
#define    FLASH_KEY2   0XCDEF89AB                     //第2个FLASH解锁键值

#define    STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
uint16_t   STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];    //最多是2K字节
#define    FLASH_SAVE_ADDR 0x08007000            //设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)
#define    SIZE 5                                                       //数组长度
uint16_t   read_out_data[5];
uint16_t   write_in_data[5];