串口IAP实验中的疑问

水瓶座

几天学习了串口IAP实验，阅读了战舰STM32F103关于这个实验的例程，但是我有一些疑问想要请教一下。望指点一二。

在例程的stmflash.c的文件中，有这么一个函数STMFLASH_Write，这个函数对flash进写操作时是通过一页一页（一个扇区一个扇区）方式对flash区域进行写操作的。我想要问的是，为什么不直接采取连续地址写操作，这样操作不是更方便快捷吗，而且不用写那么多那么复杂。难道flash区域有什么特殊的地方，需要一页一页的写数据吗？

水瓶座

回复【3楼】正点原子:
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u8 StmFlash_Write (u32 WriteAddr,u16 *FlashData,u16 NumToData)
{
  if ((WriteAddr<STM32_FLASH_ADDR_START) || (WriteAddr>(STM32_FLASH_ADDR_SIZE+STM32_FLASH_ADDR_SIZE*1024)))
    return ERROR;
  FLASH_Unlock (); //FLASH解锁
  
  for (int i=0;i<NumToData;i++)
  {
    FLASH_ProgramHalfWord (WriteAddr,FlashData);
    WriteAddr+=2;
  }

  FLASH_Lock (); //FLASH上锁
  return SUCCESS;
}


这样可以吗？请指教……>

as564335sa

虽然我没看过这个IAP，但是如果是我有疑问我会自己写一个连续写的函数试验一下。擦除flash是要按扇区擦的，写的话可能需要换扇区操作也可能是为了方便管理数据

正点原子

你写代码出来试试看。

正点原子

回复【4楼】水瓶座:
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 试试就知道。