PVD BKP问题！

翱翔云端的鸟

我现在想要设计的功能在掉电瞬间，能将实时数据保存进我的W25Q16，但是我在PVD中断中，时间太短了，还来不及保存数据到W25Q16，我刚刚亲测过，如果在供电状态下，先擦除一个扇区，在PVD中断中能够写进去，但是如果在PVD中断之前没有擦除这个扇区，而是在PVD中断中擦除这个扇区，数据则写不进去，读出来的是65535，说明PVD中断中擦除了，但是来不及写。我想问下有没有好的办法之类的。
我的想法现在有两个：
1.如何增加一个大电容，及时断电了，还能供电一段很短暂的时间
2.进入PVD中断，将数据保存到BKP->DR，然后下次上电后程序先读取BKP->DR
这里有个疑问：我如何判断是非正常断电和正常断电，非正常我保存在BKP->DR，正常我需要保存在W25Q16，有没有好的想法

花戒

我也是分两个区，分别用两个扇区做数据区和备份区（历史记录区），用最末尾两个字节记录当前该扇区状态：
ff ff:初始化
ff a5:正在使用
5a a5:已过期
上电时对已过期扇区初始化，然后等待掉电事件发生就记录到已过期扇区，同时更新标志为正使用，对当前使用区置掉电和过期标志。

如果数据量小，完全可以存入BKP，开一个中断检测电源下降沿，出现触发就保存数据。W25Q**也是要耗电的

翱翔云端的鸟

还有个疑问，我这个BKP备份寄存器不是很熟，在网上看了一些博客，只知道它是用来保存的，但是我该在什么时机用什么手段将其BKP->DR  数据复位，然后什么时候该写进去，，等等的  
侵入检测中断能情况BKP->DR，但是什么时候清空什么时候写，不好把握

翱翔云端的鸟

朋友告诉我  说在这价格二极管，然后在3V3跟地之间加个大容量的法拉电容

jermy_z

可以这样干。。。

正点原子

回复【3楼】翱翔云端的鸟:
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这个是可以的.
不过你必须尽早处理,那么就要知道何时断电,且要立即处理.

翱翔云端的鸟

回复【5楼】正点原子:
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我加了个2200uf的电解电容，测试过了，在PVD中擦除扇区+写数据 还是不利索
但是如果之前先擦除这块区域，然后在PVD中写数据，能写很多，昨天试了80*16个数据是没问题的

翱翔云端的鸟

回复【5楼】正点原子:
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我想到个好的方法，不用这个不熟悉的BKP了，将W25Q16分为存储区 和备份区
备份区用来保存PVD中断实时数据，存储区保存固定可调参数并按时保存一次

存储区：存储设定参数和换班时间的班产数据(每换班一次保存一次)
备份区：存储实时的班产数据及各类实时数据(每掉电一次保存一次)

上电--->存储区非实时数据(运行需要的)读出--->备份区实时数据读出--->擦除备份区
掉电--->VD中断--->写实时数据到备份区

这样我每次上电能先读出数据 然后去擦除这块备份区了，然后PVD写的时候也能写进去了，加个法拉电容就OK了，是不是很好的方法
而且每次上电数据都能对接，就不会造成数据泄露了

正点原子

回复【7楼】翱翔云端的鸟:
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你的数据量不大是吧?

翱翔云端的鸟

回复【8楼】正点原子:
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嗯！实时的数据大概50个左右，其他的是通过RTC定时保存或者输入保存的，那些不是实时的，都是历史数据或者可调参数
BKP感觉没领悟到深层次，看了下手册。

翱翔云端的鸟

回复【10楼】花戒:
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嗯！好办法，跟我思想一样，加个标志更加严谨！我买了个0.22F的法拉电容，应该可以了e

solo

掉电放BKP后备寄存器，上电读取转存FLASH，比直接存FLASH安全可靠。因为BKP后备寄存器工作电压低，读写速度快。

翱翔云端的鸟

回复【12楼】solo:
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对的，中间好像有部分数据是奇数地址的写进去 偶数地址的没写进去，头跟尾  不论奇偶都写进去了，找了半天找不到原因，
还发现个问题，同样的代码用在W25Q32和W25Q64上(现在用的是W25Q16)，PVD写写不进去了，不知道是为什么，上电写是正常的！

solo

回复【13楼】翱翔云端的鸟:
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W25Q64工作电压2.7~3.6V，PVD能监测的阀值最高的三个档是2.7/2.8/2.9v，单片机工作电压是2V，不建议在PVD中断里操作FLASH。

翱翔云端的鸟

回复【14楼】solo:
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Q32跟Q64PVD中断中写不进去，不知道为什么，16却可以！BKP只有40个数据，太小了，满足不了
我的PVD阀值设置的是2.9V，一个数据都没进去