看不懂一个关于三相无刷电机驱动的电路

莆田 · 发表于 2015-3-27 15:06:54

上图红色圈起来的部分是电机其中一相的控制电路，右边的ACS709芯片是电流检测用的，ir2184是半桥驱动芯片，下图是ir2184的datasheet说明，但对第6脚的输出看不懂，datasheet里说Vs是高压侧浮动供应返回，不知什么意思

保夫鲁沙 · 发表于 2015-3-27 20:50:26

H桥（上下桥均为N MOS）驱动芯片，VS一般接输出，同时和芯片VCC之间并联一个电容，自举升压驱动上桥，你对着芯片手册分析就知道了。

玉面飞龙 · 发表于 2015-3-30 01:36:41

你好，一般来说N沟道的MOS组成的半桥，上桥臂可以用三极管或者专用的MOS驱动芯片来驱动的。
三极管因为没有死区时间管理，所以需要在程序里面多加注意。TI的EPWM外设提供了死区管理。防止半桥的共态导通。
而专用的半桥驱动芯片或者全桥驱动芯片，往往提供了这样的死区时间管理，有些还会以延时电阻的方式给出。比如HIP4082，LM5106等等。
但是有一个问题。比如电动车里面，我的驱动芯片供电只有12V但是电动车的电池是48V的。大家知道。N沟道MOS要开启，必须GS之间要有足够的电压。
利用二极管和电容构成的自举电路，使得驱动芯片在驱动上桥MOS栅极时拥有足够的电压，以确保MOS被开启。
对于半桥或者全桥驱动芯片而言。MOS的工作电压与芯片的供电电压差别越大，自举电路就越重要。

玉面飞龙 · 发表于 2015-3-30 01:38:13

你好，一般来说N沟道的MOS组成的半桥，上桥臂可以用三极管或者专用的MOS驱动芯片来驱动的。
三极管因为没有死区时间管理，所以需要在程序里面多加注意。TI的EPWM外设提供了死区管理。防止半桥的共态导通。
而专用的半桥驱动芯片或者全桥驱动芯片，往往提供了这样的死区时间管理，有些还会以延时电阻的方式给出。比如HIP4082，LM5106等等。
但是有一个问题。比如电动车里面，我的驱动芯片供电只有12V但是电动车的电池是48V的。大家知道。N沟道MOS要开启，必须GS之间要有足够的电压。
利用二极管和电容构成的自举电路，使得驱动芯片在驱动上桥MOS栅极时拥有足够的电压，以确保MOS被开启。
对于半桥或者全桥驱动芯片而言。MOS的工作电压与芯片的供电电压差别越大，自举电路就越重要。