关于fsmc的几点问题，求指教

Just Beat It

1.FSMC支持8/16/32位数据宽度，请问是8位数据宽度就用8根数据线吗？16位数据宽度就用16根数据线吗？还是不论多少宽度（8/16/32）都用16根数据线？
2.原子哥的外部SRAM实验例程用的是IS62WV51216，16位宽度的SRAM，在指定地址开始,连续写入n个字节的函数FSMC_SRAM_WriteBuffer() 为什么要讲地址转换为*(vu8*)类型？
void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
    for(;n!=0;n--)  
    {                                            
        *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;      
        WriteAddr+=1;
        pBuffer++;
    }   
}  
3.IS62WV51216是16位宽度的SRAM，那么FSMC一定要用16位数据宽度吗？8位/32位的可以吗？原子哥的例程STM32用的是多少位的数据宽度？
本人小白，希望各路大神帮忙，可能问的问题很傻，别见怪  

正点原子

1,8位模式下,可以只使用8位数据线.
2,因为u8是最小存储单位,更通用.
3,8位也可以.

正点原子

回复【7楼】Just Beat It:
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你这是地址0,写0XAA
所以就是低8位有效.
高八位忽略.
具体状态,你可以用示波器看下波形.

正点原子

回复【9楼】Just Beat It:
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1,不对
2,也不对.
回复【10楼】Just Beat It:
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1,这个是可以随意选择的.
2,你这是u32的数组...我写的值是u8.只写了u32里面的1个字节,而且地址也不是你说的4096了.实际上,我在testsram[4096]这里写入的就是数字4而已.

Just Beat It

这是原子哥回复别人的，有些问题，直接问了 
这里是因为SRAM用了FSMC的UB/LB信号，控制字节高地位了。
因为SRAM是16位的，当你要读写8位数据的时候，UB/LB就发挥作用了，比如在SRAM的地址0写入1个8位的字节，那么LB会输出有效，而UB则保持不变（高电平），表示写入地址0的低8位，写法就是：
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+0)=0Xaa;//0XAA是你想写入的字节。
而如果要在SRAM地址0写入高8位，那么对于STM32来说，地址就相应加1即可，即：
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+1)=0XAA;
此时LB会输出高电平，UB会输出有效电平（低电平），表示写入地址0,的高字节。
这样，对STM32来说，地址就是连续的了，0，1,2,3,4,5，都是合法的了，自然就不需要你的地址右移对齐了，硬件通过UB/LB去控制了。

比如说我在程序中写了*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+0)=0Xaa;这句话，那么16位的数据线D[0到15]上的电平状态是什么样的？请原子哥及各路大神指教

阿雷

mark...

Just Beat It

回复【4楼】正点原子:
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首先感谢原子哥这么晚还回答我的问题，十分感谢，我还有以下几个疑问：
1.   16位数据宽度就用16根数据线吗？原子哥你的外部存储sram程序stm32用的是8位宽度的对吗？那为什么还用16根数据线，用8根不就可以了吗？
2.    stm32的AHB总线上的数据宽度是多少？是32位的吗？然后fsmc请求对数据宽度进行分割变成8位的？  还是AHB总线上的数据就是8位的？

正点原子

回复【5楼】Just Beat It:
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1,是的,我们用的16位数据线,不是8位,你别搞错了.8位不行,我们的sram就是16位的.
2,这个你自己看数据手册. 我也没有注意过.

Just Beat It

回复【6楼】正点原子:
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原子哥这是你回复别人的，我还有些疑问， 
这里是因为SRAM用了FSMC的UB/LB信号，控制字节高地位了。
因为SRAM是16位的，当你要读写8位数据的时候，UB/LB就发挥作用了，比如在SRAM的地址0写入1个8位的字节，那么LB会输出有效，而UB则保持不变（高电平），表示写入地址0的低8位，写法就是：
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+0)=0Xaa;//0XAA是你想写入的字节。
而如果要在SRAM地址0写入高8位，那么对于STM32来说，地址就相应加1即可，即：
*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+1)=0XAA;
此时LB会输出高电平，UB会输出有效电平（低电平），表示写入地址0,的高字节。
这样，对STM32来说，地址就是连续的了，0，1,2,3,4,5，都是合法的了，自然就不需要你的地址右移对齐了，硬件通过UB/LB去控制了。

比如说我在程序中写了*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+0)=0Xaa;这句话，那么16位的数据线D[0到15]上的电平状态是什么样的？0xaa难道不是只用了8根数据线吗？

Just Beat It

回复【8楼】正点原子:
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奥奥，我好像明白了，原子哥你看看我下面的这两条说法对吗？
1.就是说因为外部存储sram程序用的是8位宽度，所以就前8位数据线有用的，但是由于IS62WV51216是16位宽度的，所以程序可以用16为宽度的方式写sram，所以后8位还是有用的，只不过是外部存储sram那个例程没用到后8根数据线
2.外部存储sram程序用16位宽度比8位的速度快，但是不能字节控制，对吗？

Just Beat It

回复【8楼】正点原子:
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oid fsmc_sram_test(u16 x,u16 y)
{  
u32 i=0;     
u8 temp=0;    
u8 sval=0; //在地址0读到的数据       
   LCD_ShowString(x,y,239,y+16,16,"Ex Memory Test:   0KB"); 
//每隔4K字节,写入一个数据,总共写入256个数据,刚好是1M字节
for(i=0;i<1024*1024;i+=4096)
{
FSMC_SRAM_WriteBuffer(&temp,i,1);
temp++;
}
//依次读出之前写入的数据,进行校验   
  for(i=0;i<1024*1024;i+=4096) 
{
   FSMC_SRAM_ReadBuffer(&temp,i,1);
if(i==0)sval=temp;
  else if(temp<=sval)break;//后面读出的数据一定要比第一次读到的数据大.        
LCD_ShowxNum(x+15*8,y,(u16)(temp-sval+1)*4,4,16,0);//显示内存容量  
  }  
}
1.每隔4K字节,写入一个数据,总共写入256个数据,刚好是1M字节，原子哥你的这个程序为什么每隔4k写入一个数据，这个4k是随意选的吗？
2.原子哥你这个函数是不是在地址0写入0，在testsram[4096]处写入4096，可我单步调试却发现testsram[4096] = 4100，不知道为什么？
下面是我用的测试程序，我用j-link单步调试发现程序走完LCD_ShowxNum(60,190,testsram[4096],6,16,0);//显示测试数据  这句话，发现lcd上显示的是4100？难道不应该是4096吗？这是为什么？
while(1)
{
        fsmc_sram_test(60,170);//测试SRAM容量
        for(ts=0;ts<(4*1024-1);ts++)LCD_ShowxNum(60,190,testsram[ts],6,16,0);//显示测试数据  
       LCD_ShowxNum(60,190,testsram[4095],6,16,0);//显示测试数据  
       LCD_ShowxNum(60,190,testsram[4096],6,16,0);//显示测试数据
       LCD_ShowxNum(60,190,testsram[4097],6,16,0);//显示测试数据
       LCD_ShowxNum(60,190,testsram[4098],6,16,0);//显示测试数据
       LCD_ShowxNum(60,190,testsram[4099],6,16,0);//显示测试数据
}

上面两张图片分别是对应的lcd显示的内容和单步调试程序，下面两个附件就是这两张图片，麻烦原子哥看一下。。。

Just Beat It

回复【8楼】正点原子:
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求解答呀，原子哥

虎神

帮顶。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

Just Beat It

回复【13楼】正点原子:
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奥奥，终于明白了，十分感谢原子哥的耐心解答，这个网站真心不错，祝原子哥的网站蒸蒸日上，越办越好，结贴。。。

正点原子

回复【14楼】Just Beat It:
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谢谢支持

yuanchuang

懂了。