初级会员

- 积分
- 65
- 金钱
- 65
- 注册时间
- 2014-10-27
- 在线时间
- 0 小时
|
5金钱
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos; //扇区地址
u16 secoff; //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
u16 i;
u32 offaddr; //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr < STM32_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (STM32_FLASH_BASE + 1024*STM32_FLASH_SIZE))) return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址,即在哪一个扇区 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain) secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
STMFLASH_Read(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, STMFLASH_BUF, STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF) break;//需要擦除
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, STMFLASH_BUF, STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
}
else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain); //写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
if(NumToWrite==secremain) break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0
pBuffer+=secremain; //指针偏移
WriteAddr+=secremain; //写地址偏移 ,个人认为此处secremain应该*2 《《-----------------------------------↑
NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite > (STM_SECTOR_SIZE/2)) secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}
}
FLASH_Lock();//上锁
}
上面这个函数是原子官方例程中stmflash.c文件中的一个函数,总觉得这里有问题----------------------------------------------↑
flash存储的时候都是以每次2个字节的速度存的,secremain表示上一轮存储的半字数,即多少个“2个字节”,所以此处算起始地址时应该为“WriteAddr+=secremain*2”,难道不是这样吗?
求大神解疑???
|
|