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关于FET管子的一点疑惑

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精华

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发表于 2015-2-5 16:41:31 | 显示全部楼层 |阅读模式
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康华光主编的模电中讲到N型的增强型MOSFET、耗尽型MOSFET、JFET。关于漏极饱和电流的问题,耗尽型MOSFET、JFET中都有提到,都是在栅源电压等于0的时候,而增强型MOSFET在栅源电压等于0的时候,漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏,当所有的讨论都是基于源级接地的电路时,当耗尽型MOSFET、JFET的栅源电压大于0时,电流怎么变化,两种管子工作在什么状态?漏极电流会超过饱和电流?还是处于一种什么样的工作状态?
比如说栅源电压小于0,且大于开启电压时,工作在可变电阻区,栅源电压等于0 ,工作在饱和放大区,
栅源电压小于0,且小于开启电压时,工作在截止区。

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发表于 2015-2-5 22:51:44 | 显示全部楼层
建议你发邮件给作者。
我是开源电子网www.openedv.com站长,有关站务问题请与我联系。
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发表于 2015-2-6 20:58:43 | 显示全部楼层
MOS管也有类似三极管的线性区域,MOS管栅极源极电压变化,对应源极漏极的电阻变化
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发表于 2015-2-12 14:05:52 | 显示全部楼层



三极管 饱和区、放大区、截至区
MOS管 可变电阻区、恒流区、击穿区

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