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{写保护}几个疑问? 背景:{读保护论坛很多帖子了。不聊了},我看STM32写保护,都是烧录一次后,不可以在烧录

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发表于 2015-1-5 14:43:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
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{写保护}几个疑问? 背景:{读保护论坛很多帖子了。不聊了},我看STM32写保护,都是烧录一次后,不可以在烧录。有什么好的办法,或者STM32自带的指导,别人不可以烧录,但是自己可以烧录的办法。

最佳答案

查看完整内容[请看2#楼]

自己提的问题自己回答吧。我现在用的STM32030F4根据手册FLASH地址 下面附”内部FLASH写保护“程序开始试的时候忘了写按键去除写保护,导致报废一个芯片,写保护后芯片就不可烧录了。(我是通过一个开机键,学习米健操作连击10次以上可以解除”写保护“) 部分代码如下 #include "bsp_data.h" #include "stm32f0xx_flash.h" /* Private typedef -----------------------------------------------------------*/ typedef e ...
彼高丽者,边夷贱类,不足待以仁义,不可责以常礼。古来以鱼鳖畜之,宜从阔略。若必欲绝其种类,恐兽穷则搏。
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 楼主| 发表于 2015-1-5 14:43:42 | 显示全部楼层
自己提的问题自己回答吧。我现在用的STM32030F4根据手册FLASH地址


下面附”内部FLASH写保护“程序开始试的时候忘了写按键去除写保护,导致报废一个芯片,写保护后芯片就不可烧录了。(我是通过一个开机键,学习米健操作连击10次以上可以解除”写保护“)


部分代码如下

#include "bsp_data.h"
#include "stm32f0xx_flash.h"
/* Private typedef -----------------------------------------------------------*/
typedef enum {FAILED = 0, PASSED = !FAILED} TestStatus;
u8 protect_flag =0 ;
/* Private define ------------------------------------------------------------*/
#ifdef STM32F030
 #define FLASH_PAGE_SIZE                ((uint16_t)0x2000) 
 #define FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED   (OB_WRP_Pages0to3   | OB_WRP_Pages4to7   | OB_WRP_Pages8to11  |\
                                        OB_WRP_Pages12to15 | OB_WRP_Pages16to19 | OB_WRP_Pages20to23 |\
                                        OB_WRP_Pages24to27 | OB_WRP_Pages28to31 | OB_WRP_Pages32to35 |\
                                        OB_WRP_Pages36to39 | OB_WRP_Pages40to43 | OB_WRP_Pages44to47 |\
                                        OB_WRP_Pages48to51 | OB_WRP_Pages52to55 | OB_WRP_Pages56to59 |\
                                        OB_WRP_Pages60to63) /*OB_WRP_AllPages*/
#else
 #define FLASH_PAGE_SIZE                ((uint16_t)0x2000)
 #define FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED   (OB_WRP_Pages0to3   | OB_WRP_Pages4to7   | OB_WRP_Pages8to11  |\
                                        OB_WRP_Pages12to15 | OB_WRP_Pages16to19 | OB_WRP_Pages20to23 |\
                                        OB_WRP_Pages24to27 | OB_WRP_Pages28to31 | OB_WRP_Pages32to35 |\
                                        OB_WRP_Pages36to39 | OB_WRP_Pages40to43 | OB_WRP_Pages44to47 |\
                                        OB_WRP_Pages48to51 | OB_WRP_Pages52to55 | OB_WRP_Pages56to59 |\
                                        OB_WRP_Pages60to63) /*OB_WRP_AllPages*/
#endif /* STM32F030 */

#define BANK1_WRITE_START_ADDR         ((uint32_t)0x08006000)
#define BANK1_WRITE_END_ADDR           ((uint32_t)0x08010000)
 
/* Uncomment this line to program the Flash pages */
//#define FLASH_PAGE_PROGRAM

/* Uncomment this line to Enable Write Protection */
#define WRITE_PROTECTION_ENABLE
 
/* Uncomment this line to Disable Write Protection */
//#define WRITE_PROTECTION_DISABLE
/* Private macro -------------------------------------------------------------*/
/* Private variables ---------------------------------------------------------*/
uint32_t EraseCounter = 0x0, Address = 0x0;
uint16_t Data = 0x1753;
uint32_t WRPR_Value = 0xFFFFFFFF, ProtectedPages = 0x0;
uint32_t NbrOfPage;
__IO FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
__IO TestStatus MemoryProgramStatus = PASSED;

/*****************main****************/
int main(void)
{  
All_Init();
/*!< At this stage the microcontroller clock setting is already configured, 
       this is done through SystemInit() function which is called from startup
       file (startup_stm32f0xx.s) before to branch to application main.
       To reconfigure the default setting of SystemInit() function, refer to
       system_stm32f0xx.c file
     */ 
  
  /* Unlock the Flash Program Erase controller */  
  FLASH_Unlock();
  
  FLASH_OB_Unlock();
  
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPERR);
    
  /* Get pages write protection status */
  WRPR_Value = FLASH_OB_GetWRP();

#ifdef WRITE_PROTECTION_DISABLE 
  /* Get pages already write protected */
  ProtectedPages = ~(WRPR_Value | FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED);
  
  /* Check if desired pages are already write protected */
  if((WRPR_Value | (~FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED)) != 0xFFFFFFFF )
  {
    /* Erase all the option Bytes */
    FLASHStatus = FLASH_OB_Erase();
    
    /* Check if there is write protected pages */
    if(ProtectedPages != 0x0)
    {
      /* Restore write protected pages */
      FLASHStatus = FLASH_OB_EnableWRP(ProtectedPages);
    }
    /* Generate System Reset to load the new option byte values */
    FLASH_OB_Launch();
  }

#elif defined WRITE_PROTECTION_ENABLE
  /* Get current write protected pages and the new pages to be protected */
  ProtectedPages =  (~WRPR_Value) | FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED; 
  
  /* Check if desired pages are not yet write protected */
  if(((~WRPR_Value) & FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED )!= FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED)
  {
  
    /* Erase all the option Bytes because if a program operation is 
      performed on a protected page, the Flash memory returns a 
      protection error */
    FLASHStatus = FLASH_OB_Erase();

    /* Enable the pages write protection */
    FLASHStatus = FLASH_OB_EnableWRP(ProtectedPages);
  
    /* Generate System Reset to load the new option byte values */
    FLASH_OB_Launch();
  }  
#endif /* WRITE_PROTECTION_DISABLE */

#ifdef FLASH_PAGE_PROGRAM  
  /* Get the number of pages to be erased */
  NbrOfPage = (BANK1_WRITE_END_ADDR - BANK1_WRITE_START_ADDR) / FLASH_PAGE_SIZE;

  /* The selected pages are not write protected */
  if ( (WRPR_Value & FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED) != 0x00)
  {
    /* Clear pending flags */
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR |FLASH_FLAG_WRPERR);

    /* erase the FLASH pages */
    for(EraseCounter = 0; (EraseCounter < NbrOfPage) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE); EraseCounter++)
    {
      FLASHStatus = FLASH_ErasePage(BANK1_WRITE_START_ADDR + (FLASH_PAGE_SIZE * EraseCounter));
    }
  
    /* FLASH Half Word program of data 0x1753 at addresses defined by  BANK1_WRITE_START_ADDR and BANK1_WRITE_END_ADDR */
    Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;

    while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (FLASHStatus == FLASH_COMPLETE))
    {
      FLASHStatus = FLASH_ProgramHalfWord(Address, Data);
      Address = Address + 2;
    }

    /* Check the correctness of written data */
    Address = BANK1_WRITE_START_ADDR;

    while((Address < BANK1_WRITE_END_ADDR) && (MemoryProgramStatus != FAILED))
    {
      if((*(__IO uint16_t*) Address) != Data)
      {
        MemoryProgramStatus = FAILED;
      }
      Address += 2;
    }
  }
  else
  { 
    /* Error to program the flash : The desired pages are write protected */ 
    MemoryProgramStatus = FAILED;
  }
#endif /* FLASH_PAGE_PROGRAM */
 
  while (1)
  {
Whole_Process();
if(protect_flag>3)
{
 /* Get pages already write protected */
  ProtectedPages = ~(WRPR_Value | FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED);
  
  /* Check if desired pages are already write protected */
  if((WRPR_Value | (~FLASH_PAGES_TO_BE_PROTECTED)) != 0xFFFFFFFF )
  {
    /* Erase all the option Bytes */
    FLASHStatus = FLASH_OB_Erase();
    
    /* Check if there is write protected pages */
    if(ProtectedPages != 0x0)
    {
      /* Restore write protected pages */
      FLASHStatus = FLASH_OB_EnableWRP(ProtectedPages);
    }
    /* Generate System Reset to load the new option byte values */
    FLASH_OB_Launch();
  }
}
  }
}

彼高丽者,边夷贱类,不足待以仁义,不可责以常礼。古来以鱼鳖畜之,宜从阔略。若必欲绝其种类,恐兽穷则搏。
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发表于 2015-1-5 14:54:47 | 显示全部楼层
没这样搞过。
原子哥是不是又要出黑科技了呀。^_^...
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 楼主| 发表于 2015-1-5 15:07:14 | 显示全部楼层
回复【2楼】fanghuiopenedv:
---------------------------------
就是想别人想别人用SWD方式烧录程序,烧不进去。而自己可以通过密码方法烧录进去
彼高丽者,边夷贱类,不足待以仁义,不可责以常礼。古来以鱼鳖畜之,宜从阔略。若必欲绝其种类,恐兽穷则搏。
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 楼主| 发表于 2015-1-5 15:19:36 | 显示全部楼层

下面是我在21IC整理的看的香水城一段话:

STM32中读保护与写保护能一起使用

我们先看看读写保护的操作机制,再谈你的问题。

在STM32的小信息块有一个RDP字节负责读保护,当在RDP字节的内容是0xA5时,读保护不起作用;当在RDP字节的内容是任何其他数值时,读保护起作用。

在STM32的小信息块还有4个字节(32个WRP位)负责写保护,每个WRP位负责若干个Flash页的写保护,意义如下:
1)对于小容量的STM32(容量<=32KB),每个WRP位负责4个Flash页(1KB/页)的写保护,只使用1个字节的WRP。
2)对于中容量的STM32(32KB<容量<=128KB),每个WRP位负责4个Flash页(1KB/页)的写保护,最多使用4个字节的WRP。
3)对于大容量的STM32(128KB<容量<=512KB),第0~30个WRP位中每位负责2个Flash页(2KB/页)的写保护,第31个WRP位负责剩下所有页的写保护,使用所有的4个字节的WRP。

当WRP位=0时表示对应的页为写保护,既不允许写操作,否则没有写保护,即允许写操作。
这里香主没有提到写保护后怎么通过特征密码解除解除写保护(这样就可以自己可以随意烧录程序,而别人不知道你密码就不能烧录程序),不知道可不可以


这里香主没有提到写保护后怎么通过特征密码解除解除写保护(这样就可以自己可以随意烧录程序,而别人不知道你密码就不能烧录程序),不知道可不可以
这里香主没有提到写保护后怎么通过特征密码解除解除写保护(这样就可以自己可以随意烧录程序,而别人不知道你密码就不能烧录程序),不知道可不可以


因为小信息块是一段Flash,可以单独对个别的地址进行写操作,而不能进行单独的擦除操作,所以擦除操作将擦除所有内容,包括所有的读保护和写保护位。

从前面的原理可以看出,如果把小信息块擦除,意味着解除所有的写保护,但打开读保护(此时RDP=0xFF,≠0xA5)。所以在需要解除读或写保护时,必须先读出小信息块的内容,再擦除小信息块,最后写回修改过的小信息块内容,尤其是在只要求解除写保护而不希望打开读保护的情况。

最后注意:当允许读保护时(既不允许读操作),不管第0个WRP位是什么值,主Flash区的前4K字节都自动地处于写保护(既不允许写操作)状态,这是为了保护用户的中断和复位向量区,和可能的IAP程序。
这里香主没有提到写保护后怎么通过特征密码解除解除写保护(这样就可以自己可以随意烧录程序,而别人不知道你密码就不能烧录程序),不知道可不可以

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发表于 2015-1-5 15:37:12 | 显示全部楼层
想多了,你有固件,擦了重写。
于20150522停用该账号:http://www.microstar.club
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 楼主| 发表于 2015-1-5 15:52:22 | 显示全部楼层
回复【5楼】styleno1:
---------------------------------
想到一个办法试试的
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发表于 2015-1-5 16:00:46 | 显示全部楼层
搞的像PLC似得。
原子哥是不是又要出黑科技了呀。^_^...
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 楼主| 发表于 2015-1-5 17:23:54 | 显示全部楼层
回复【7楼】fanghuiopenedv:
---------------------------------
  FLASH_OB_Unlock();
    delay_ms(1000);  
  FLASH_OB_EnableWRP(OB_WRP_AllPages);
FLASH_OB_Lock();

加入这段怎么还是没写保护,还是能烧录,哎
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 楼主| 发表于 2015-1-5 17:27:34 | 显示全部楼层

甚是不解
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 楼主| 发表于 2015-1-6 10:43:04 | 显示全部楼层
回复【7楼】fanghuiopenedv:
---------------------------------
完成了
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 楼主| 发表于 2015-1-6 10:43:17 | 显示全部楼层
回复【5楼】styleno1:
---------------------------------
完成了
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回复【12楼】cornrn:
---------------------------------
good
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发表于 2015-10-10 12:13:55 | 显示全部楼层
如果把 SWD设置成输出IO了 会有这个问题,解决办法就是 按下复位按键 然后点击下载按钮 然后松开 复位按键  就可以了,只针对于MDK有效 ,其他下载软件貌似不行。不用再费劲用串口下载了。
没有解决不了的问题 只有不努力的笨蛋
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