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如何把变量定义到外扩的SRAM??

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发表于 2014-10-24 17:07:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
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STM32F103ZET外扩一片sram:IS62WV2568BLL,(256K字节,8位数据),原理如下:
地址范围:0x0,0000~0X3,FFFF,想利用FSMC功能将变量和结构体都放在这片SRAM中存储。

问题1:是否可以通过修改stm32f10x_flash_extsram.icf中的
define symbol __ICFEDIT_region_RAM_start__       = 0x60000000;
define symbol __ICFEDIT_region_RAM_end__         = 0x63FFFFFF;
来实现,即利用FSMC的FSNC_NE1的片选地址直接控制。

最佳答案

查看完整内容[请看2#楼]

回复【2楼】SB: --------------------------------- 可以 对于楼主位的,我们用MDK,一般用: u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));//测试用数组 attribute这种方式来定义指定地址
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发表于 2014-10-24 17:07:29 | 显示全部楼层
回复【2楼】SB:
---------------------------------
可以

对于楼主位的,我们用MDK,一般用:

u32 testsram[250000] __attribute__((at(0X68000000)));//测试用数组

attribute这种方式来定义指定地址
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 楼主| 发表于 2014-10-24 20:04:52 | 显示全部楼层
补充问题2:
利用FSMC的NOR_FLASH片选(例如-NE2),配合地址线和译码器138是否可以输出更多的片选信号,稳定输出8路?
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 楼主| 发表于 2014-10-27 11:13:08 | 显示全部楼层
非常感谢!
开发板用的MDK,但是公司为统一都用IAR。
本身对.ICF文件还不太了解!上述问题的目的都是为直接控制地址,方便数据的输出和读取,
问一个宽泛的问题:用上述的地址模式,在实际操作过程是否有需要特别注意的地方?
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