麻烦大家帮我解释下 下面这当个定义是什么意思，有什么作用，谢谢了

sckj1234

#define BITBAND(addr, bitnum) ((addr & 0xF0000000)+0x2000000+((addr &0xFFFFF)<<5)+(bitnum<<2))
#define MEM_ADDR(addr) *((volatile unsigned long *)(addr))
#define BIT_ADDR(addr, bitnum) MEM_ADDR(BITBAND(addr, bitnum))
尽可能详细解释下，或者告知哪里有相关资料查看，再次感谢！

加速度

这是M3的位带操作。
在《ARM Cortex-M3权威指南》里有详细解释。

以下摘自手册：
在CM3中，有两个区中实现了位带。其中一个是SRAM 区的最低1MB 范围（0X20000000~0X20100000），第二个则是片内外设
区的最低1MB 范围（0X22000000~0X23FFFFFF）。这两个区中的地址除了可以像普通的RAM 一样使用外，它们还都有自己的
“位带别名区”，位带别名区把每个比特膨胀成一个32 位的字。当你通过位带别名区访问这些字时，就可以达到访问原始比特的目的。

sun_shine

通过位带的方式把物理地址抽象出来，