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FLASH 模拟EEPROM

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发表于 2014-9-19 08:38:57 | 显示全部楼层 |阅读模式
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这几天看了几个论坛以及ST官方里的关于FLASH模拟EEPROM的例子,看的有点懵懵懂懂的。里面都讲的是两页循环擦出。
昨天晚上在网上看了另外一段视频,里面介绍的FLASH模拟EEPROM,如下:
[mw_shl_code=c,true] #define FLASH_ADR 0x0807F800 u32 data=123456; FLASH_Unlock(); //解锁 FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR); //FLASH忙标志位、FLASH操作结束标志位、FLASH编写错误标志位、FLASH页面写保护错误标志位清除 FLASH_ErasePage(参数);//这个参数是某页的起始地址。 这个参数为函数头部定义的一个变量,即起始地址。 FLASH_ProgramHalfWord (); //写数据 FLASH_Lock(); //上锁 data=0; data=(*(__IO unit_32_t*)(FLASH_ADR)); Printf("输出data=%d\r\n",data); [/mw_shl_code]



这样做和原子大哥的例程貌似不一样,并且原理也不一样。
官方的例程和原子大哥的例程的用意是否是FLASH擦出次数10000次,而那样做的?减少FLASH擦出次数的。

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你上面这个代码,就是最简化的代码,基本上仅供参考。实际使用,你还是得用我们那种方式。
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发表于 2014-9-19 08:38:58 | 显示全部楼层
你上面这个代码,就是最简化的代码,基本上仅供参考。实际使用,你还是得用我们那种方式。
我是开源电子网www.openedv.com站长,有关站务问题请与我联系。
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