再补点东西：
掉电中断里能存多少数据，能成多长时间一直是我比较关心的问题，在这里我测试了一下，也提供了一个简单的测试方法，可以粗略的获知。
1、测试RTC后备存储器存数据的速度
[mw_shl_code=c,true]void PVD_IRQHandler(void)
{
EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);//清中断
vTaskEndScheduler();//关闭调度器
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR , ENABLE);//使能PWR和BKP外设时钟
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);//使能后备寄存器访问
while(1)
{
power_time++;
RTC_WriteBackupRegister(RTC_BKP_DR14, power_time);
}
}[/mw_shl_code]
重上电之后，power_time = 171534，也就是说在2.8V掉到2V的时间内能读写171534次那么多，当然这个跟你设计的电路有绝对的关系，这个就根据具体自己的情况去测试吧。（事实证明RTC后备存储器的读写速度是很快的）
2、测试掉电的时间
[mw_shl_code=c,true]void PVD_IRQHandler(void)
{
EXTI_ClearITPendingBit(EXTI_Line16);//清中断
vTaskEndScheduler();//关闭调度器
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_PWR , ENABLE);//使能PWR和BKP外设时钟
PWR_BackupAccessCmd(ENABLE);//使能后备寄存器访问
while(1)
{
power_time++;
RTC_WriteBackupRegister(RTC_BKP_DR14, power_time);
Dellayus(2);//1.2us
}
}[/mw_shl_code]
重上电之后，power_time = 40496，也就是说在2.8V掉到2V的需要大约33~40ms左右（当然这是我的电路的掉电时间），这个需要具体自行测试。
注意：这里测试的是STM32F207的RTC，用这个存储一些应急数据还是足够的，不建议用FLASH存数据，因为FLASH读写操作需要高压，不确定2~2.8V操作是否稳定，但是STM32手册上说单片机的工作电压到2V还是可以工作的。
[mw_shl_code=c,true]/*******************************************************************************
* 函数名 : Dellayu
* 描述 : 延时函数（局部使用）,调用一次延时的时间：
* 72M下是1us，120M下是0.6us
* 参数 : usec
* 返回值 : 无
*******************************************************************************/
__asm int Dellayu(u32 usec)
{
ALIGN
PUSH.W {r1} //2时钟周期
MOV r1,#18 //1时钟周期
MUL r0,r1 //1时钟周期
SUB r0,#3 //1时钟周期
loop
SUBS r0,#1 //1时钟周期
BNE loop //如果跳转则为3个周期，不跳则只有1个周期
POP {r1} //2时钟周期
BX lr //3个时钟周期
//总共所用周期为(usec*4)-4,此处减4主要用于抵消调用此函数的消耗时钟周期（传参1时钟，BLX跳转3时钟）
}[/mw_shl_code]
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发表于 2014-9-16 11:16:01
OR的功能是在VDD电压由低向高上升越过规定的阀值之前，保持芯片复位，当越过这个阀值后的一小段时间后(图中的"滞后时间"或表中的"复位迟滞")，结束复位并取复位向量，开始执行指令。这个阀值就是表中倒数第4行(min=1.8，typ=1.88，max=1.96)。 
发表于 2014-9-16 12:26:52
楼主
