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上图是示波器的截图,下半部分是上半部分加亮区域的放大。
这个是读取ID时的三次操作,黄线是RS信号,高表数据,低表指令;红线是RD信号,低有效;蓝线是D7数据线。
蓝色的尖峰是写入指令用来读取ID,三个鼓包是返回值,正常因为 00,80,00,即D7上应该是 0,1,0。
不解的是,应该输出1的地方电压的确是3.3V,但应该输出0的地方电压却还有2.35V,
而且在IO设置中改变上下拉情况不变,若改为开漏输出由于走线较长信号变为电容充电形状。
使用环境:
自己做的STM32F407ZE,FSMC挂载,上面还有一块SRAM测试正常
FSMC配置推挽输出,无上下拉电阻,读写使用不同时序,在发送指令到读操作中延迟约400ns(while递减10)
最后贴一下程序,IO就贴了一段,其他设置相同:
GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_8 |
GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF;
GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_100MHz;
GPIO_InitStructure.GPIO_OType = GPIO_OType_PP;
GPIO_InitStructure.GPIO_PuPd = GPIO_PuPd_NOPULL;
GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);
readTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x04;
readTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;
readTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x20;
readTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
readTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
readTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
readTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
writeTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x02;
writeTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;
writeTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;
writeTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
writeTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
writeTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
writeTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readTiming;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &writeTiming;
FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
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最佳答案
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原因查明,FSMC上还挂着一块NOR FLASH,一开始想着前期实验不用也没管它,就没有初始化。而STM32的IO默认状态为高阻输入,实际测量flash的片选端(NE2)为低电平。正是这一点在读数据期间发生总线冲突,而SRAM引脚下拉能力较强,之后测试波形可以看出也有起伏但仍然识别为低,但液晶下拉能力较差,因此出现读不出数据的情况。
教训:挂在总线上的设备不管用不用的到,至少CS片选引脚必须初始化!
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