发现FLASH模拟EEPROM实验中例程的错误，导致FLASH写完一页写下一页时无法写入。

liushikai · 发表于 2014-7-15 21:15:24

我有用FLASH模拟EEPROM时发现FLASH模拟EEPROM实验中例程的错误，导致FLASH写完一页写下一页时无法写入。
当在指定地址写入数据而此时所要写入的数据在本页存不下时就需要写到下一页。
原子哥的例程如下：
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
u32 secpos;    //扇区地址
u16 secoff;    //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
  u16 i;
u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock();      //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;  //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;   //扇区地址 0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;  //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;  //扇区剩余空间大小
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1)
{
  STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
  for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
  {
   if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除
  }
  if(i<secremain)//需要擦除
  {
   FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
   for(i=0;i<secremain;i++)//复制
   {
    STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;
   }
   STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区
  }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
  if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
  else//写入未结束
  {
   secpos++;    //扇区地址增1
   secoff=0;    //偏移位置为0
     pBuffer+=secremain; //指针偏移
   WriteAddr+=secremain; //写地址偏移
     NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
   if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
   else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
  }
};
FLASH_Lock();//上锁
}
#endif

程序中如果一个扇区写不完要写到下一个扇区时要将程序的当前写入地址改为入口时赋给程序的WriteAddr加上已经写入的字节数。而secremai是已经写入的半字的个数。所以程序中红色部分应该改为
WriteAddr+=secremain*2; //写地址偏移
半字个数*2才为字节个数，也就是下一个扇区的地址。如果不乘以2会出现地址不是2的倍数，导致数据无法写入。
个人愚见，请多指教。