IIC实验，使用24C02的EEPROM，怎么实现页写呢？

开荤的唐僧 · 发表于 2014-7-9 17:36:39

好像战舰里面的IIC实验，是使用的24C02的EEPROM吧，然后里面的写是字节写的模式是么？我这里有个24C02的数据手册，怎么实现页写呢？我对于页写时序的具体操作没弄清楚。字写一次最多写多少字节？页写呢？然后有哪些利弊？

正点原子 · 发表于 2014-7-9 17:36:40

我们用的是字节写,特点是方便,缺点是速度慢.
页写比字节写快一些,不过EEPROM就那速度了...实际上页写的作用并不大.

八度空间 · 发表于 2014-7-9 17:36:40

http://www.openedv.com/posts/list/35740.htm这里工程有24c02的页写代码，可以参考以下

开荤的唐僧 · 发表于 2014-7-9 21:36:36

原子哥，现在例程中的字节读写，做多能一次存储多少字节啊？跟页写会一样么？

正点原子 · 发表于 2014-7-9 23:24:52

回复【3楼】开荤的唐僧:
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一个个写，你存多少个，调用多少次这个写字节函数就是了。

开荤的唐僧 · 发表于 2014-7-10 08:23:03

谢谢原子哥，了解了

jiaozhu · 发表于 2014-7-10 10:37:40

页写的程序你可以百度找找网上有的字节写肯定是方便很多了每次写一个字节前需要先写一个地址自然速度要慢些能够写多少个就看你的EEPROM的打消了页写肯定要快些就是页写的这个函数要复杂些

开荤的唐僧 · 发表于 2014-7-18 08:18:42

回复【7楼】Badu_Space:
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回复【7楼】Badu_Space:
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十分感谢，工程量还真不小，赞一个

开荤的唐僧 · 发表于 2014-7-18 08:20:05

回复【6楼】jiaozhu:
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自写其实也是不错的，因为针对于其他的IIC器件用的上，如果是页写，或许像ADXL345这些器件就不一定能够页写了

八度空间 · 发表于 2014-7-18 08:24:14

回复【9楼】开荤的唐僧:
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这个想法可以，呵呵

部分芯片还真是不能页写的

开荤的唐僧 · 发表于 2014-7-18 15:18:46

回复【10楼】Badu_Space:
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是的，因为有些芯片的DATASHEET里面就没有说过页写，如果在线的话，能不能告诉我下面这两个语句在KEIL中是有差别的：
ADXL345_WriteByte(0x2F,0x40);跟ADXL345_WriteByte(0x2F,0B01000000);
不能用后面那一句代替前面那一句么？因为我有时候用后面这种方式能更好的知道每个位的情况。

八度空间 · 发表于 2014-7-18 16:39:36

回复【11楼】开荤的唐僧:
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二进制好像是这样表示的吧：01000000B

其实你也可以这样写的：1<<6

开荤的唐僧 · 发表于 2014-7-19 08:27:05

回复【12楼】Badu_Space:
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您说的使用01000000B这种格式是不行的，刚才测试了下

八度空间 · 发表于 2014-7-19 20:47:36

看在什么平台上

合肥-文盲 · 发表于 2015-1-28 15:55:26

回复【2楼】正点原子:
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原子哥，24CXX系列芯片有没有清0指令呀，就是整个存储器都清0，比如对于24C256就是从地址0~地址32767全清0，如果用单字节循环写（while循环），好慢啊，因为每次写一个字节就延时10ms，总共写完要接近6分钟，太慢了，有没有一条指令，直接写这条指令就全清0了

正点原子 · 发表于 2015-1-29 00:06:16

回复【15楼】合肥-文盲:
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没有哦

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