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楼主 |
发表于 2014-6-29 11:48:54
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回复【4楼】正点原子:
---------------------------------原子哥不选的时候也是错误的,显示如下
DTR电平置低(-3--12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变高(+3-+12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...2, 接收到:79
在串口COM6连接成功@230400bps,耗时265毫秒
芯片内BootLoader版本号:2.2
芯片PID:00000414
芯片已设置读保护,无法读取更多信息
芯片有读保护,请先擦除器件以清除读保护
去除读保护失败
DTR电平置低(-3--12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变高(+3-+12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...2, 接收到:79
在串口COM6连接成功@230400bps,耗时312毫秒
芯片内BootLoader版本号:2.2
芯片PID:00000414
芯片已设置读保护,无法读取更多信息
第561毫秒,已准备好
开始编程芯片,共需写入8KB,耗时592毫秒
调试信息:-3 STM_WriteMemory
写入出错在0KB,进度0%,耗时826毫秒 |
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