如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的话，那根据哪个参数去衡量MOS管的性能更好还是更坏呢？

QWE4562009

如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的话，那根据哪个参数去衡量MOS管的性能更好还是更坏呢？

你的蓝朋友

上升沿和i下降沿时间，开关频率

正点原子

好坏要看需求的，不能一概而论，不同的场景，需求参数不一样。比如需要低内阻，但是没高开关频率，这个时候，RDSon可能是首要选择目标。但是如果是高开关频率，低内阻mos往往ciss较大，这个时候，反而要选择内阻大一点，但是ciss小一点的更合适了。