玩转EEPROM 新手玩EEPRO FLASH——全面指南

Zengzhong

玩转EEPROM——全面指南EEPROM（电可擦除可编程只读存储器）是一种能够在断电后保存数据的存储器，广泛应用于存储配置参数和少量数据的场景。本文将带您深入了解EEPROM的基础知识、常见操作及其在实际应用中的使用技巧，并介绍如何使用EVASH开发测试板进行开发和测试。
EEPROM基础知识什么是EEPROM？EEPROM是一种非易失性存储器，可以电擦除和重编程。与其他存储器相比，EEPROM具有以下特点：

• 非易失性：断电后数据仍然保留。
• 可擦除：可以擦除并重新写入数据。
• 编程灵活：可以按字节或页面编程。
  

EEPROM的主要参数在选择EEPROM时，需要关注以下几个主要参数：

• 存储容量：通常以位或字节为单位（如256Kb，即32KB）。
• 读写速度：读写数据的速度，通常较慢。
• 耐久性：擦写次数的限制，通常为10万至100万次。
• 接口类型：常见的接口有I²C、SPI和并行接口。
  

使用EVASH开发测试板开发测试板简介EVASH EEPROM开发测试板（如下图所示）设计用于帮助用户快速上手并测试EEPROM芯片。测试板上集成了EV24C256A EEPROM芯片，支持1.7V至5.5V的工作电压。




开发测试板功能与连接

• VDD: 电源输入，范围1.7V至5.5V。
• GND: 电源地。
• WP: 写保护引脚，高电平时写保护使能。
• SCL: I²C时钟信号。
• SDA: I²C数据信号。
• A0, A1, A2: 地址引脚，通过接地或连接到电源选择I²C地址。
  

开发测试板使用步骤

• 连接电源和地: 将VDD和GND分别连接到电源和地。
• 连接I²C接口: 将SCL和SDA分别连接到主控器的I²C时钟和数据引脚。
• 配置地址引脚: 根据需要配置A0、A1和A2引脚，选择合适的I²C地址。
  

基本操作1. 初始化在使用EEPROM之前，需要进行初始化配置。以下是使用Arduino初始化I²C接口的示例代码：
cpp复制代码

#include <Wire.h>void setup() {  Wire.begin(); // 初始化I&#178;C接口  Serial.begin(9600); // 初始化串口通信}void loop() {  // 主要操作放在这里}

2. 写入数据向EEPROM写入数据的步骤如下：

• 开始传输：启动I&#178;C通信。
• 发送设备地址：发送EEPROM的I&#178;C地址。
• 发送存储地址：指定要写入数据的位置。
• 发送数据：发送要写入的数据。
• 结束传输：终止I&#178;C通信。
  

示例代码：
cpp复制代码

#define EEPROM_ADDRESS 0x50void writeEEPROM(int deviceAddress, unsigned int eepromAddress, byte data) {  Wire.beginTransmission(deviceAddress);  Wire.write((int)(eepromAddress >> 8));   // 高字节地址  Wire.write((int)(eepromAddress & 0xFF)); // 低字节地址  Wire.write(data);  Wire.endTransmission();  delay(5); // 写入延迟}

3. 读取数据从EEPROM读取数据的步骤如下：

• 开始传输：启动I&#178;C通信。
• 发送设备地址：发送EEPROM的I&#178;C地址（写模式）。
• 发送存储地址：指定要读取数据的位置。
• 重新开始传输：重新启动I&#178;C通信（读模式）。
• 请求数据：请求从EEPROM读取数据。
• 接收数据：读取数据并存储到变量中。
• 结束传输：终止I&#178;C通信。
  

示例代码：
cpp复制代码

byte readEEPROM(int deviceAddress, unsigned int eepromAddress) {  byte data = 0xFF;  Wire.beginTransmission(deviceAddress);  Wire.write((int)(eepromAddress >> 8));   // 高字节地址  Wire.write((int)(eepromAddress & 0xFF)); // 低字节地址  Wire.endTransmission();  Wire.requestFrom(deviceAddress, 1);  if (Wire.available()) data = Wire.read();  return data;}

高级技术页面写入一些EEPROM支持页面写入，可以一次写入多个字节，提升写入效率。在写入大量数据时，建议使用页面写入。示例代码如下：
cpp复制代码

void writeEEPROMPage(int deviceAddress, unsigned int eepromAddress, byte* data, int length) {  Wire.beginTransmission(deviceAddress);  Wire.write((int)(eepromAddress >> 8));   // 高字节地址  Wire.write((int)(eepromAddress & 0xFF)); // 低字节地址  for (int i = 0; i < length; i++) {    Wire.write(data);  }  Wire.endTransmission();  delay(5); // 写入延迟}

延长寿命由于EEPROM的擦写次数有限，需谨慎使用。尽量减少不必要的写入操作，并采用磨损均衡算法分散写入次数，延长EEPROM的使用寿命。
数据校验为了确保数据的完整性，可以使用校验和或CRC等校验机制，验证读取的数据是否正确。
温度和电压影响EEPROM的工作性能受温度和电压的影响。在极端条件下，可能需要进行额外的校准和保护措施，确保数据的准确性和持久性。
实际应用配置参数存储EEPROM常用于存储设备的配置参数，如WiFi设置、校准数据等。这些数据在设备断电后仍需保留，并且可以在运行时更新。
数据日志记录EEPROM可以用于存储传感器数据、错误日志等需要持久化的小规模数据。例如，记录温度传感器的历史数据，每次测量后将新数据写入EEPROM。
非易失性存储在一些关键应用中，需要保存重要的数据，即使在断电的情况下也不丢失。EEPROM是这类应用的理想选择。
结论EEPROM是一种功能强大的存储器，适用于各种应用场景。从基本操作到高级技巧，掌握这些知识将帮助您充分利用EEPROM的优势，为您的项目提供稳定的非易失性存储解决方案。利用EVASH开发测试板，您可以更快地实现EEPROM的开发和测试，如需更多信息和支持，请访问我们的网址 evash.top。