正点原子片上flash移植到stm32g473vet6 flash读写错误

zhouyalong

看着正点原子的stm32f103的片上flash代码移植到自己的工程中出错，因为stm32g473的hal库中没有半字写入，所以我把他改成了以双字（64位）的形式写入数据。每次写入一个双字，然后地址增加4，
stm32f103中的宏定义为：

#define FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD             0x01U  /*!<Program a half-word (16-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_WORD                 0x02U  /*!<Program a word (32-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD           0x03U  /*!<Program a double word (64-bit) at a specified address*/
stm32g473中为：
#define FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD    0x00U              /*!< Program a double-word (64-bit) at a specified address.*/
#define FLASH_TYPEPROGRAM_FAST          0x01U              /*!< Fast program a 32 row double-word (64-bit) at a specified address.
                                                                And another 32 row double-word (64-bit) will be programmed */
#define FLASH_TYPEPROGRAM_FAST_AND_LAST 0x02U              /*!< Fast program a 32 row double-word (64-bit) at a specified address.
                                                                And this is the last 32 row double-word (64-bit) programmed */




下面是我的代码

1. u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
   
2. {
   
3.     return *(vu16 *)faddr;
   
4. }
   
5. #if STM32_FLASH_WREN // 如果使能了写
   
6. // 不检查的写入
   
7. // WriteAddr:起始地址
   
8. // pBuffer:数据指针
   
9. // NumToWrite:半字(16位)数
   
10. // 以**半字（16位）**的形式写入数据。每次写入一个半字，然后地址增加2。这是因为一个半字包含1个16位的数据，所以地址需要增加2。
    
11. // void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
    
12. // {
    
13. //     u16 i;
    
14. //     for (i = 0; i < NumToWrite; i++)
    
15. //     {
    
16. //         HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, WriteAddr, pBuffer);
    
17. //         WriteAddr += 2; // 地址增加2.
    
18. //     }
    
19. // }
    
20. // 以**双字（64位）**的形式写入数据。每次写入一个双字，然后地址增加4。这是因为一个双字包含4个16位的数据，所以地址需要增加4。
    
21. void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
    
22. {
    
23.     u16 i;
    
24.     u32 buffer;
    
25.     for (i = 0; i < NumToWrite; i += 2)
    
26.     {
    
27.         buffer = ((u32)pBuffer) | ((u32)pBuffer[i + 1] << 16);
    
28.         HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, WriteAddr, buffer);
    
29.         WriteAddr += 4; // 地址增加4.
    
30.     }
    
31. }
    
32. // 从指定地址开始写入指定长度的数据
    
33. // WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
    
34. // pBuffer:数据指针
    
35. // NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
    
36. #if STM32_FLASH_SIZE < 256
    
37. #define STM_SECTOR_SIZE 1024 // 字节
    
38. #else
    
39. #define STM_SECTOR_SIZE 2048
    
40. #endif
    
41. u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE / 2]; // 最多是2K字节
    
42. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToWrite)
    
43. {
    
44.     u32 secpos;    // 扇区地址
    
45.     u16 secoff;    // 扇区内偏移地址(16位字计算)
    
46.     u16 secremain; // 扇区内剩余地址(16位字计算)
    
47.     u16 i;
    
48.     u32 offaddr; // 去掉0X08000000后的地址
    
49.     if (WriteAddr < STM32_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (STM32_FLASH_BASE + 1024 * STM32_FLASH_SIZE)))
    
50.         return; // 非法地址
    
51.     HAL_FLASH_Unlock();                       // 解锁
    
52.     offaddr = WriteAddr - STM32_FLASH_BASE;   // 实际偏移地址.
    
53.     secpos = offaddr / STM_SECTOR_SIZE;       // 扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    
54.     secoff = (offaddr % STM_SECTOR_SIZE) / 2; // 在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    
55.     secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2 - secoff; // 扇区剩余空间大小
    
56.     if (NumToWrite <= secremain)
    
57.         secremain = NumToWrite; // 不大于该扇区范围
    
58.     while (1)
    
59.     {
    
60.         STMFLASH_Read(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, STMFLASH_BUF, STM_SECTOR_SIZE / 2); // 读出整个扇区的内容
    
61.         for (i = 0; i < secremain; i++)                                                                // 校验数据
    
62.         {
    
63.             if (STMFLASH_BUF[secoff + i] != 0XFFFF)
    
64.                 break; // 需要擦除
    
65.         }
    
66.         if (i < secremain) // 需要擦除
    
67.         {
    
68.             FLASH_PageErase(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, FLASH_BANK_1); // 擦除这个扇区
    
69.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);                                // 等待上次操作完成
    
70.             CLEAR_BIT(FLASH->CR, FLASH_CR_PER);                                         // 清除CR寄存器的PER位，此操作应该在FLASH_PageErase()中完成！
    
71.                                                                                         // 但是HAL库里面并没有做，应该是HAL库bug！
    
72.             for (i = 0; i < secremain; i++)                                             // 复制
    
73.             {
    
74.                 STMFLASH_BUF[i + secoff] = pBuffer;
    
75.             }
    
76.             STMFLASH_Write_NoCheck(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, STMFLASH_BUF, STM_SECTOR_SIZE / 2); // 写入整个扇区
    
77.         }
    
78.         else
    
79.         {
    
80.             FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME);           // 等待上次操作完成
    
81.             STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr, pBuffer, secremain); // 写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
    
82.         }
    
83.         if (NumToWrite == secremain)
    
84.             break; // 写入结束了
    
85.         else       // 写入未结束
    
86.         {
    
87.             secpos++;                   // 扇区地址增1
    
88.             secoff = 0;                 // 偏移位置为0
    
89.             pBuffer += secremain;       // 指针偏移
    
90.             WriteAddr += secremain * 2; // 写地址偏移(16位数据地址,需要*2)
    
91.             NumToWrite -= secremain;    // 字节(16位)数递减
    
92.             if (NumToWrite > (STM_SECTOR_SIZE / 2))
    
93.                 secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2; // 下一个扇区还是写不完
    
94.             else
    
95.                 secremain = NumToWrite; // 下一个扇区可以写完了
    
96.         }
    
97.     };
    
98.     HAL_FLASH_Lock(); // 上锁
    
99. }
    
100. #endif
     
101. // 从指定地址开始读出指定长度的数据
     
102. // ReadAddr:起始地址
     
103. // pBuffer:数据指针
     
104. // NumToWrite:半字(16位)数
     
105. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr, u16 *pBuffer, u16 NumToRead)
     
106. {
     
107.     u16 i;
     
108.     for (i = 0; i < NumToRead; i++)
     
109.     {
     
110.         pBuffer = STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr); // 读取2个字节.
     
111.         ReadAddr += 2;                                // 偏移2个字节.
     
112.     }
     
113. }

复制代码

其中函数STMFLASH_Write_NoCheck被注释的是正点原子的代码，下面是我修改的，现在的问题就是，我测试的时候在地址0X08070000上写入"STM32F103 FLASH TEST",但是读出来的只有STM3，后面的内容都没有了，这是什么问题？求大佬解答