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stm32升级过程中,对flash写入数据的一个地方不明白

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发表于 2023-8-25 16:40:35 | 显示全部楼层 |阅读模式
  • TempData = (buff[TempA + 3] << 24)+(buff[TempA + 2] << 16)+(buff[TempA + 1] << 8) + buff[TempA];
  • if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,StarAddr,TempData) == HAL_OK)
    上面这句代码中,为什么要把这个数组里面的数据前后移位后再写入?

正点原子逻辑分析仪DL16劲爆上市
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发表于 2023-8-25 17:02:44 | 显示全部楼层
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 楼主| 发表于 2023-8-25 17:18:42 | 显示全部楼层
每次在论坛发完帖子,过一会儿就弄明白这个问题了,是这样的,flash存储器是以字节编址的方式写入数据,这意味着需要将写入的数据分解成字节,并按照地址顺序依次写入,写入到flash中的数据在地址上是从低位到高位依次存储的,而读取时则是从高位到低位读取,并且STM32的数据总线宽度是32位,一次读取4个字节,读取时也是从高位往低位读取4个字节,因此我们需要这样取反
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发表于 2023-8-26 11:21:52 | 显示全部楼层
15284083060 发表于 2023-8-25 17:18
每次在论坛发完帖子,过一会儿就弄明白这个问题了,是这样的,flash存储器是以字节编址的方式写入数据,这 ...

其实你还没搞懂,后面的参数是FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,是以WORD,即4字节写入,所以才组合的

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 楼主| 发表于 2023-8-26 13:44:30 | 显示全部楼层
jermy_z 发表于 2023-8-26 11:21
其实你还没搞懂,后面的参数是FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,是以WORD,即4字节写入,所以才组合的

这个确实,还有字节,半字以及8个字节的写入,这些写入方式,确实不是很明白怎么处理,
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