STM32F429的内部FLASH写出错

chenweigang

大家好，我用的标准库，原子哥的429没有标准库，我就复制了407的flash读写，都是1M的容量，移植过来后发现写入不能成功，调试了发现是FLASH_EraseSector擦除的地方返回了错误状态具体就是这个函数FLASH_GetStatus（）返回了FLASH_ERROR_PROGRAM，请问大家是什么问题啊？另外用了原子哥的429寄存器版本也是返回错误，第一次能写进去，第二次就不行了，相当于在对现有数据进行擦除的时候有问题

chenweigang

128K的是不是擦除要很久，我用了操作系统，在接收串口数据时写入flash，这个任务设了100ms

阿侑kevin

chenweigang 发表于 2023-4-17 14:14
128K的是不是擦除要很久，我用了操作系统，在接收串口数据时写入flash，这个任务设了100ms

128K F4上擦除差不多要1s

chenweigang

阿侑kevin 发表于 2023-4-18 15:36
128K F4上擦除差不多要1s

感谢回复，请问F4片内有没有好一点的方法，快速存储

阿侑kevin

chenweigang 发表于 2023-4-20 10:20
感谢回复，请问F4片内有没有好一点的方法，快速存储

F4前面几页是16K的，你可以用这几页；也可以128K写满以后再擦除，这样你写了N次后才会出现一次长擦除

chenweigang

阿侑kevin 发表于 2023-4-20 10:25
F4前面几页是16K的，你可以用这几页；也可以128K写满以后再擦除，这样你写了N次后才会出现一次长擦除

我看只能整页操作啊，怎么才能写满后在擦除

阿侑kevin

chenweigang 发表于 2023-4-20 15:31
我看只能整页操作啊，怎么才能写满后在擦除

你别用原子的例程，自己修改一下，把擦除的部分去掉

xusheng3583

不知楼主解决没，建议在擦除和写入的时候加点延时时间