請問STM32外接並聯式SRAM 一定要使用FSMC嗎???

hunkchen2000

  請問STM32外接記憶體一定要使用FSMC???
FSMC好像是STM32特有的功能,其他的MCU並沒有
這樣的功能,那請問有誰可以提供STM32F103外接並聯式
記憶體的程式碼範例呢???

阿侑kevin

根据时序用GPIO模拟就可以啊，FSMC这种不是STM32特有，很多MCU也有，只是不叫这个名字而已，比如TI的叫EPI

babyrabbit

程序在置顶的资料中心的资料盘里不就有 外部SRAM实验
http://www.openedv.com/docs/boar ... f103_warshipV4.html

hunkchen2000

babyrabbit 发表于 2022-12-16 15:05
程序在置顶的资料中心的资料盘里不就有 外部SRAM实验
http://www.openedv.com/docs/boards/stm32/zdyz_stm ...

你誤會了
我想要的是不使用FSMC做外部SRAM讀寫

正点原子

hunkchen2000 发表于 2022-12-16 16:09
你誤會了
我想要的是不使用FSMC做外部SRAM讀寫

模拟时序即可...

garyfisher

模拟一个呗，
举个例子,代码自己去实现，PA0接存储器地址A0，PA1接A1以此类推，PB0接存储器数据D0，PB1接D1以此类推，然后再找几个GPIO接到CE、OE、WE、BLE、BHE这种控制脚上。BHE、BLE高低位控制看你需要多少位的数据，16位全都要就都拉低。

初始化
所有数据、地址、控制脚拉高，延迟几毫秒CE拉低

读：
1.设置PA0~PXXX的高低电平，对应你SRAM要读的地址
2.延迟X纳秒OE拉低
3.Y纳秒之后对应的数据就会出现在PB0~PB15上，用GPIO的库函数可以直接读出PortB的值，这样你就获得了数据

X的值看你SRAM芯片手册中的建立保持时间决定，Y不能小于你SRAM手册中 TDOE（OE到数据有效时间）

写的话就先准备好地址和数据
然后WE拉低，Z纳秒后就数据就完成写入了，Z的值也是看你芯片手册的写入时间