H723ZG的芯片写flash会跳到harderror

黑夜难掩星芒

做的是一个用flash模拟eeprom的实验。在运行到HAL_FLASH_Program函数里面时就会跳转到flasherror，具体位置在下图所示：

试过将要写入的数据加一个attribute，地址对齐之类的操作，都没什么效果，求解


#define FLASH_OP_ADDR     (uint32_t)0x080E0000
#define FLASH_SECTOR_NUM  7           //H723

#define FLASH_WAIT_TIME   50000

uint32_t USER_FLASH_Read(uint32_t faddr) //读flash的数据
{
  return *(__IO uint32_t*)faddr;

}

void USER_FLASH_Program(uint32_t faddr, uint32_t data)
{
  HAL_FLASH_Unlock();  //解锁
  FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAIT_TIME, FLASH_BANK_1);    //等待上一次操作完成
  HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD, faddr, data);  //往对应地址写数据
  FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAIT_TIME, FLASH_BANK_1);
  HAL_FLASH_Lock();   //上锁
}

void USER_FLASH_Erase_Sector(uint8_t Sector_Number)
{
  FLASH_EraseInitTypeDef FLASH_Erase_Init;
  uint32_t Sector_Error = 0;

  HAL_FLASH_Unlock();
  FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAIT_TIME, FLASH_BANK_1);

  FLASH_Erase_Init.Sector       = Sector_Number;  //要擦除的哪一扇区
  FLASH_Erase_Init.NbSectors    = 1;              //擦除扇区的个数
  FLASH_Erase_Init.TypeErase    = FLASH_TYPEERASE_SECTORS ; //擦除扇区模式
  FLASH_Erase_Init.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;    //电压范围
  HAL_FLASHEx_Erase(&FLASH_Erase_Init, &Sector_Error);  //擦除操作

  FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAIT_TIME, FLASH_BANK_1);
  HAL_FLASH_Lock();
}

//主函数的内容
uint32_t a = 123;
uint32_t b = 0;

USER_FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_7);
USER_FLASH_Program(FLASH_OP_ADDR, a);
b = USER_FLASH_Read(FLASH_OP_ADDR);
printf("b=%d\r\n",b);



这是H723ZG的flash分布图

黑夜难掩星芒

解决了，原来是HAL_FLASH_Program()函数的第三个参数dataaddress的问题，这个参数需要传入的是需要写入数据的地址（注意不是指针），然后再强制转换为uint32_t的形式。即(uint32_t)(&(数据))，并且这个函数对于H723ZG来说会一次性写入256bit数据。太坑爹了这函数，你一个数据地址为什么不弄成指针的形式。。。

正点原子

可以参考下我们的H750XB的例程看看