做无线充电发射电路，对方波PWM，MOS导通，驱动电流电压部分有不确定的地方

精英板

准备做无线充电发射电路，对驱动电流部分有不确定的地方。
尝试仿真几种无线充电发射装置，试过无抽头ZVS，ZVS是我认为彻底的纯硬件无线充电发射电路。
然后在Multisim上仿真过几种其他的LC谐振，LCC谐振的充电发射方式。本质上都是用方波来驱动MOS做一个较为高频的开关(目标是在50KHz——150KHz之间选)

仿真后我对这几种充电发射方式产生了几个问题：
首先是方波的产生，我想过用555定时器产生一个方波和单片机产生方波两种方案。不知道这两种方案输出方波的电压能不能直接开启现实中的MOS管。
再然后就是我用LCC谐振的时候，需要做一个MOS半桥，给俩MOS管栅极的驱动要互补的方波，我准备用555定时器做一个方波产生电路，然后再在555输出端加一个74HC14D这一个非门器件。仿真的话没啥问题，但是现实中这样能导通MOS么。虽然MOS是电压驱动但是也需要一定电流吧，那电流够么。除了555+非门也准备也试一下IR2104的MOS半桥电路
        

LcwSwust

上方NMOS的开启较麻烦，由于它导通后DS都为VCC电压，GS电压需要12V左右，所以G极电压需要达到比电源电压高12V，用非门不现实，IR2104可以的，高端NMOS驱动有自举电路。

精英板

看来这里硬件的答主不多

正点原子

建议直接上芯片，现在的无限供电方案都比较成熟 了，小功率，中功率，大功率都有，尤其以手机无线充电最多，还带QI协议的，比你自己DIY实用多了啊

精英板

LcwSwust 发表于 2022-11-9 09:44
上方NMOS的开启较麻烦，由于它导通后DS都为VCC电压，GS电压需要12V左右，所以G极电压需要达到比电源电压高1 ...

对对，这是个问题，没有字自举二极管和自举电容MOS半桥上面那个NMOS确实应该有问题，不过仿真现象竟然是对的，怀疑是不是只导通了一个MOS。
另外非门为啥不行呀

LcwSwust

精英板 发表于 2022-11-9 10:13
对对，这是个问题，没有字自举二极管和自举电容MOS半桥上面那个NMOS确实应该有问题，不过仿真现象竟然是 ...

非门输出多少V电压？能让高端NMOS维持导通？

精英板

LcwSwust 发表于 2022-11-9 10:55
非门输出多少V电压？能让高端NMOS维持导通？

74hc14非门电压够,手册上是2-6V根据供应电压输出。如果电压够的话，会出现那种非门来不及响应PWM的频率么，就是方波高电平变低电平太快了非门还没来得及反应完全就又检测到了低电平变高电平

LcwSwust

精英板 发表于 2022-11-9 12:21
74hc14非门电压够,手册上是2-6V根据供应电压输出。如果电压够的话，会出现那种非门来不及响应PWM的频率么 ...

74HC14的速度是够的。高端若是NMOS的话，那电压还是不够啊，门极电压得比VCC还高。
若高端是PMOS，倒是可以。
半桥要注意死区，不要让两个管子同时导通。

精英板

LcwSwust 发表于 2022-11-9 12:42
74HC14的速度是够的。高端若是NMOS的话，那电压还是不够啊，门极电压得比VCC还高。
若高端是PMOS，倒是 ...

哦哦哦多谢大哥
很奇怪，就是这种结构在Multisim上还仿真成功结果正确了，但这个高端的MOS居然还对结果有影响，我把这几种方案都打出来板过几天验证一下。