H743 内部FLASH读写函数的一点小问题

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原子哥提供的代码中：
if(HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD,WriteAddr,(uint64_t)pBuffer)!=HAL_OK)//写入数据                                               
{
break;        //写入异常
}

直接循环写入256bit的数据

在我的项目中，要存储数据前，先把已经存在里面的数据读取出来，然后擦除扇区，然后再把新的数据加进去，然后再把更新后的数据写回去。

写的过程中，出现了只能写入几个256bit的问题。找了一天半的原因，从hal库到各种代码，到其它平台上的验证。在F103战舰上移植了一段是成功的，F103的STMFLASH.c文件写的与H743是不一样的。最终找到了原因，造成写入失败的原因可能是在连续写入过程中，写入并没有完全结束的时候，又开始写下一个256bit的数据。这个原因我是不确定的，不知道有没有大佬知道为什么。

但是，我通过在HAL_FLASH_Program后面加一个delay_us的延时后，确实是解决了。而且随着延时时间的增加，从90%写失败，到50%，到10%，到完全成功。
if(FlashStatus==HAL_OK)
        {
                while(WriteAddr<endaddr)//写数据
                {
                        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_FLASHWORD,WriteAddr,(uint64_t)pBuffer);
                        delay_us(us_16);
                        FlashStatus=FLASH_WaitForLastOperation(FLASH_WAITETIME,FLASH_BANK_1);       //等待上次操作完成
                        WriteAddr+=32;
                        pBuffer+=8;
                }
        }

通过在每次写256bit后加一个延时，这个问题好歹是解决了。

zzk111

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